4月21日全球知名半導體製造商ROHM（總部位於日本京都市）宣布
，開發出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，該產品非常適用於xEV（電動汽車）用牽引逆變器*等汽車電動動力總成係統以及AI服務器電源和數據中心等工業設備的電源。

ROHM在開發第5代SiC MOSFET的過程中，通過改進器件結構並優化製造工藝，與以往的第4代產品相比

，成功地將功率電子電路實際使用環境中備受重視的高溫工作時（Tj=175℃）的導通電阻降低約30%（相同耐壓、相同芯片尺寸條件下比較）。在xEV用牽引逆變器等需要在高溫環境下使用的應用中，該產品有助於縮小單元體積
，提高輸出功率。

第5代SiC MOSFET已於2025年起先行提供裸芯片樣品
，並於2026年3月完成開發。

另外，ROHM計劃從2026年7月起開始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模塊的樣品。未來，ROHM將進一步擴大產品陣容，同時完善設計工具，並強化針對應用產品設計的支持體係。

＜開發背景＞

近年來，在工業設備領域，隨著生成式AI和大規模數據處理技術的普及，用於AI處(chu)理(li)等(deng)的(de)高(gao)性(xing)能(neng)服(fu)務(wu)器(qi)的(de)引(yin)進(jin)速(su)度(du)不(bu)斷(duan)加(jia)快(kuai)。由(you)於(yu)這(zhe)類(lei)應(ying)用(yong)的(de)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)不(bu)斷(duan)提(ti)高(gao)，引(yin)發(fa)了(le)業(ye)界(jie)對(dui)電(dian)力(li)係(xi)統(tong)負(fu)荷(he)加(jia)重(zhong)以(yi)及(ji)局(ju)部(bu)供(gong)需(xu)緊(jin)張(zhang)的(de)擔(dan)憂(you)。作(zuo)為(wei)解(jie)決(jue)這(zhe)一(yi)難(nan)題(ti)的(de)對(dui)策(ce)
，將(jiang)太(tai)陽(yang)能(neng)等(deng)可(ke)再(zai)生(sheng)能(neng)源(yuan)與(yu)供(gong)電(dian)網(wang)絡(luo)等(deng)相(xiang)結(jie)合(he)的(de)智(zhi)能(neng)電(dian)網(wang)備(bei)受(shou)關(guan)注(zhu)
，但(dan)能(neng)源(yuan)轉(zhuan)換(huan)和(he)蓄(xu)電(dian)過(guo)程(cheng)中(zhong)的(de)損(sun)耗(hao)降(jiang)低(di)仍(reng)是(shi)一(yi)大(da)挑(tiao)戰(zhan)。在(zai)車(che)載(zai)領(ling)域(yu)的(de)下(xia)一(yi)代(dai)電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)中(zhong)，除(chu)了(le)延(yan)長(chang)續(xu)航(hang)裏(li)程(cheng)和(he)提(ti)升(sheng)充(chong)電(dian)速(su)度(du)之(zhi)外(wai)
，還(hai)要(yao)求(qiu)進(jin)一(yi)步(bu)降(jiang)低(di)逆(ni)變(bian)器(qi)損(sun)耗(hao)、提升OBC（車載充電器）性能。因此，在上述數千瓦到數百千瓦級大功率應用中，能夠實現損耗降低與高效化兼顧的SiC器件正在加速普及。

ROHM於2010年在全球率先開始量產SiC MOSFET，並很早就推出了符合車規級可靠性標準（AEC-Q101）的產品群，通過將SiC廣泛應用於各種大功率應用中
，助力降低能源損耗。此外
，第4代SiC MOSFET於2020年6月開始提供樣品
，並在SiC的普及階段就推出了分立器件和模塊等豐富多樣的產品陣容，目前已在全球車載設備和工業設備領域得到了廣泛應用。此次ROHM開發出的第5代SiC MOSFET實現了業界超低損耗，將進一步擴大SiC的應用領域。

未來，ROHM計劃進一步擴充第5代SiC MOSFET的耐壓和封裝陣容，同時
，通過推動已進入普及階段的SiC在各個領域的實際應用，為提高各種大功率應用的電能利用效率持續貢獻力量。