台灣國立清華大學開發成功了幾乎所有工序均采用CMOS工藝的觸覺傳感器。 
　　此次開發的傳感器中，手觸部分由帶保護膜的金屬薄膜構成，這層薄膜與下麵的金屬薄膜構成電容器。手觸後
，金屬薄膜間的距離變小、電容器容量發生變化。通過這種變化實現觸覺的感知。 
　　為了實現CMOS工(gong)藝(yi)下(xia)的(de)開(kai)發(fa)，犧(xi)牲(sheng)層(ceng)使(shi)用(yong)了(le)金(jin)屬(shu)。這(zhe)樣(yang)一(yi)來(lai)

，金(jin)屬(shu)薄(bo)膜(mo)就(jiu)會(hui)在(zai)犧(xi)牲(sheng)層(ceng)刻(ke)蝕(shi)階(jie)段(duan)被(bei)一(yi)同(tong)刻(ke)蝕(shi)處(chu)理(li)掉(diao)，因(yin)此(ci)預(yu)先(xian)對(dui)最(zui)終(zhong)所(suo)需(xu)要(yao)的(de)金(jin)屬(shu)薄(bo)膜(mo)進(jin)行(xing)了(le)鈍(dun)化(hua)處(chu)理(li)
，以(yi)確(que)保(bao)不(bu)被(bei)刻(ke)蝕(shi)處(chu)理(li)。試(shi)製(zhi)品(pin)使(shi)用(yong)了(le)台(tai)積(ji)電(dian)的(de)2層聚合物4層金屬的0.35μm工藝。