全球工控內存領導品牌宇瞻科技積極拓展工規內存產品線
，並在策略夥伴三星電子(SAMSUNG ELECTRONICS CO.,Ltd )全力支持下
，推出首款搭載三星原廠工規等級顆粒的DDR4寬溫係列內存
，專為長時間運轉於極端溫度下之工業用設備提供強固型完整解決方案。結合Underfill加值技術，以及工規等級寬溫零組件，宇瞻DDR4寬溫係列內存具備耐溫與高可靠性之特色
，並整合抗震
、抗熱衝擊(Thermal Shock)能力，擴大寬溫內存產品應用的範圍，滿足嚴苛環境的工控產品需求。

全工規等級零組件  高低溫環境下穩定性再進擊

為了在嚴峻惡劣環境中仍能維持高效穩定的運作性能，DDR4寬(kuan)溫(wen)係(xi)列(lie)內(nei)存(cun)不(bu)僅(jin)采(cai)用(yong)三(san)星(xing)原(yuan)廠(chang)工(gong)規(gui)等(deng)級(ji)寬(kuan)溫(wen)顆(ke)粒(li)，被(bei)動(dong)組(zu)件(jian)部(bu)份(fen)亦(yi)提(ti)升(sheng)為(wei)全(quan)工(gong)規(gui)等(deng)級(ji)。寬(kuan)溫(wen)係(xi)列(lie)內(nei)存(cun)采(cai)用(yong)工(gong)規(gui)等(deng)級(ji)電(dian)容(rong)及(ji)電(dian)阻(zu)，最(zui)大(da)耐(nai)溫(wen)能(neng)力(li)高(gao)達(da)125℃的電容可使電壓供應在高溫環境下更穩定；工規等級的精密電阻(±1%)，誤差率較低、匹配度較高，可大幅提升電路穩定性及耐用度。此外，為避免惡劣環境導致的訊號傳輸不穩定的問題，DDR4寬溫內存PCB 加強鍍金厚度達30μ的金手指設計。

Underfill強固技術 提高產品可靠度

Underfill底部填充技術運用於內存BGA 芯片底部
，目的在強化產品抗震/抗熱衝擊能力。在麵對高低溫差較大的情況時下
，矽材料做成芯片與一般基板(PCB)材質的熱膨脹係數不同，因此在熱循環的溫度衝擊試驗(Thermal Shock Test)中常會有相對位移產生，造成焊點脫落或斷裂，Underfill底部填充技術可有效提高錫球與電路板間焊點強度、降低熱應力破壞
、增加產品可靠度，進而提高產品使用壽命。

宇瞻科技推出全新工業用寬溫DDR4 SODIMM內存，容量最大可達16GB，頻率支持2133/2400MHz，搭載高質量DDR4寬溫顆粒及工規等級組件
，采用Underfill技術，能適應兩極化的工作溫度
，為係統帶來無懈可擊的耐用度。通過以極端冷熱溫度交替方式進行的溫度衝擊試驗(Thermal Shock Test)
，可於-40°C低溫到85°C高溫測試的溫度範圍內運作
，適用於軍事

、車載

、戶外
、強固型計算機等工業用設備解決方案。

宇瞻科技DDR4 Wide Temperature係列內存規格: