據日經網消息，三菱電機將於4月開始在熊本縣菊池市建設新SiC廠房。

三菱電機將投資約1,000億日元（折合人民幣約48.56億元）來生產具有高節能性能的碳化矽（SiC）功率半導體，該廠房計劃於2026年4月投入運營。三菱電機表示
，與2022年相比，公司2026年的晶片產能將擴大約5倍。

據介紹，新大樓共六層
，總建築麵積約42,000平方米。它具備生產直徑為200毫米（8 英寸）的 SiC 晶(jing)圓(yuan)的(de)功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)的(de)前(qian)端(duan)工(gong)藝(yi)。所(suo)有(you)的(de)工(gong)序(xu)將(jiang)接(jie)入(ru)自(zi)動(dong)輸(shu)送(song)係(xi)統(tong)
，打(da)造(zao)高(gao)效(xiao)率(lv)生(sheng)產(chan)線(xian)。三(san)菱(ling)電(dian)機(ji)計(ji)劃(hua)根(gen)據(ju)不(bu)斷(duan)增(zeng)長(chang)的(de)需(xu)求(qiu)逐(zhu)步(bu)提(ti)高(gao)產(chan)能(neng)。

在當天舉行的奠基儀式上，三菱電機高級執行官、半導體和器件部門總經理Masayoshi Takemi強調：“功率半導體將在實現脫碳社會方麵發揮重要作用。作為一家專門生產SiC晶片的新工廠
，我們也在考慮節能節水事宜”。

在電動汽車（EV）普及的背景下，三菱電機決定建設新工廠，是為了滿足市場對功率半導體日益增長的需求。

值得一提的是，該工廠已經“綁定”了Coherent（前 II-VI ）的碳化矽襯底產能——2023年5月，三菱電機與Coherent簽署了一份諒解備忘錄
，Coherent將為三菱電機新工廠供應8英寸n型4H SiC襯底，雙方共同致力於擴大8英寸SiC器件的生產規模。