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內存芯片廠商提出新設計欲破摩爾定律

http://www.kadhoai.com.cn 2026-04-07 14:03:03 來源:CNET科技資訊網

  11月29日國際報道很多廠商都設計出了未來的閃存技術,但誰能夠首先推出產品呢?

  Spansion表示,其MirrorBit和Ornand閃存芯片的基礎是電荷捕獲技術,這一技術為閃存產業繼續縮小芯片尺寸、提高閃存芯片性能提供了一條途徑。

  SpansionCEO伯特蘭向CNETNews.com表示,Spansion已經生產出了采用電荷捕獲技術的閃存芯片。Spansion已經啟動了一項營銷活動,希望向其它製造商許可一些技術。

  伯特蘭說,三星、東芝、Hynix公gong開kai表biao示shi對dui電dian荷he捕bu獲huo技ji術shu有you很hen大da的de興xing趣qu。我wo們men擁yong有you這zhe一yi技ji術shu的de一yi些xie基ji礎chu性xing專zhuan利li,這zhe不bu是shi一yi種zhong很hen容rong易yi就jiu開kai發fa出chu來lai的de技ji術shu,我wo們men開kai發fa它ta已yi經jing有you數shu年nian時shi間jian了le。

  電荷捕獲技術能夠被應用到NOR和NAND閃存芯片中。盡管AMD在2002年就開始生產采用電荷捕獲技術的芯片,其中許多基礎技術都來自以色列的Saifun。

  如果Spansion能夠在電荷捕獲技術方麵取得成功,這會大大改進其財務狀況。第三季度,Spansion銷售收入為6.11億美元,虧損了7200萬美元。芯片廠商通常不願意許可技術,尤其是來自競爭對手的技術。

  NAND專利有非常高的價值,因為消費者電子產品和手機的需求仍然在不斷增長。盡管價格會有波動,但NAND閃存的產量卻每年都在增長。事實上,許多製造商現在都在升級生產線,它們首先考慮的是滿足NAND需求,過去,許多製造商都在新工廠中生產DRAM或其它芯片。

  一些NAND芯片廠商在努力使它們的產品打進筆記本電腦和刀片服務器中,取代硬盤。AppliedMaterials的CEO邁克說,NAND是一種獲得極大成功的應用。[page_break]

  閃(shan)存(cun)領(ling)域(yu)的(de)大(da)多(duo)數(shu)官(guan)員(yuan)和(he)科(ke)研(yan)人(ren)員(yuan)都(dou)表(biao)示(shi),閃(shan)存(cun)將(jiang)麵(mian)臨(lin)摩(mo)爾(er)定(ding)律(lv)式(shi)的(de)危(wei)機(ji)。簡(jian)而(er)言(yan)之(zhi)就(jiu)是(shi),如(ru)果(guo)在(zai)架(jia)構(gou)上(shang)沒(mei)有(you)重(zhong)大(da)突(tu)破(po),製(zhi)造(zao)商(shang)將(jiang)無(wu)法(fa)繼(ji)續(xu)縮(suo)小(xiao)芯(xin)片(pian)。芯(xin)片(pian)的(de)尺(chi)寸(cun)不(bu)縮(suo)小(xiao),製(zhi)造(zao)商(shang)就(jiu)無(wu)法(fa)降(jiang)低(di)成(cheng)本(ben)、提高產品性能。

  ObjectiveAnalysis總裁吉姆表示,當存儲單元縮小到一定程度時,傳統閃存就會遭遇真正的問題。在發展到45納米或35納米工藝時,傳統閃存就會遇到極限。閃存芯片將不再能夠使用相同的材料。

  45納米工藝的閃存芯片將於未來1-2年問世。其它一些非揮發性存儲技術已經遭遇了這一問題,例如MRAM目前隻能縮小到65納米工藝。

  Spansion麵mian臨lin的de一yi個ge大da問wen題ti是shi獲huo得de業ye界jie的de認ren同tong。每mei家jia廠chang商shang在zai未wei來lai的de存cun儲chu技ji術shu方fang麵mian都dou有you自zi己ji的de想xiang法fa,但dan是shi目mu前qian,哪na種zhong技ji術shu能neng夠gou勝sheng出chu的de前qian景jing還hai很hen不bu明ming朗lang。相xiang互hu競jing爭zheng的de技ji術shu包bao括kuo東dong芝zhi的de3D內存芯片、Numonyx的相變內存芯片、Grandis的STT-RAM。

  botelanduanyan,yushangbianliechudejishuxiangbi,dianhebuhuojishuyouergezhongyaodeyoudian。yishirenmenyijingzhangwolezhizaocaiyongzhezhongjishuxinpiandefangfa,zhehuijiangdibushuzhezhongjishudefengxian;其二,實驗室的試驗表明,電荷捕獲技術芯片的尺寸能夠繼續縮小。

  他說,我們在實驗室已經製造出了采用20納米工藝的芯片。如果能夠縮小芯片尺寸,我們的產品就是最便宜的。芯片的尺寸越小,性能就越高,製造成本也就越低。

  20納米工藝內存芯片要到2012年或晚些時候才會上市銷售。

  伯特蘭表示,與采用相同工藝的其它類型內存相比,電荷捕獲內存單元的尺寸也更小,這會進一步降低成本。他說,電荷捕獲將未來10年的一項重要技術。

  伯特蘭指出,到2016年,相變技術可能是一項重要的技術,但這還需要10年時間。一些相變技術的支持者表示,相變內存芯片可能在未來數年問世。其實,早在1970年代,相變技術內存的概念就已經被提出來了。

  與相變或3D內存相比,電荷捕獲技術更容易部署。一些大公司也表達了對電荷捕獲技術的興趣,但是,是否必須向Spansion支付費用還是一個問題。

  

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