東芝和IBM將聯合開發32nm Bulk CMOS工藝
http://www.kadhoai.com.cn 2026-04-08 04:33:17 來源:互聯網
美國IBM和東芝宣布,已就聯合開發32nm Bulk CMOS工藝達成協議。
兩公司從2005年12月起,一直在位於美國紐約州約克城(Yorktown)和奧爾巴尼(Albany)的研究設施內,共同推進32nm以後的半導體工藝基礎研究。根據此次的協議,兩公司將以此前的基礎研究成果為基礎,把聯合開發對象拓展至32nm Bulk CMOS工藝上。
根據協議,東芝將加入目前IBM及其合作企業共6家公司設在美國紐約州East Fishkill的、32nm Bulk CMOS工藝聯合開發聯盟中。
東芝的齊藤升三(高級常務執行董事半導體公司社長)表示,“東芝繼與IBM的聯合進行基礎研究之後,還將作為全球主要SoC廠商成立的聯合開發小組成員,推進32nm Bulk CMOS工藝的開發。同時,將加速東芝Advanced Micro-Electronics Center推進的32nm量產工藝開發,目標是早日實現最尖端元件的量產”。