NXP半導體的研究人員描述了一種他們稱之為可論證，可升級的矽材料壓阻MEMS諧振器並且有記錄可以工作在1.1GHz下(xia)。該(gai)小(xiao)組(zu)設(she)計(ji)出(chu)了(le)靜(jing)電(dian)場(chang)激(ji)發(fa)矽(gui)諧(xie)振(zhen)器(qi)的(de)一(yi)種(zhong)新(xin)穎(ying)的(de)變(bian)頻(pin)方(fang)案(an)
，其(qi)中(zhong)利(li)用(yong)矽(gui)的(de)壓(ya)阻(zu)效(xiao)應(ying)來(lai)探(tan)測(ce)機(ji)械(xie)運(yun)動(dong)
，這(zhe)是(shi)該(gai)項(xiang)目(mu)組(zu)出(chu)席(xi)國(guo)際(ji)電(dian)子(zi)設(she)備(bei)會(hui)議(yi)上(shang)透(tou)露(lu)的(de)。 
   這zhe種zhong變bian頻pin方fang案an可ke以yi通tong過guo簡jian單dan的de方fang法fa實shi現xian，使shi這zhe種zhong諧xie振zhen器qi具ju有you在zai理li論lun上shang不bu受shou幾ji何he尺chi寸cun影ying像xiang的de低di有you效xiao阻zu抗kang。從cong而er可ke以yi實shi現xian振zhen蕩dang器qi性xing能neng上shang沒mei有you明ming顯xian下xia降jiang的de微wei型xing化hua、高頻MEMS振蕩器，小組表示。據稱
，相對於使用常見電容或者場效應管，振蕩有效阻抗會有數量級的減少。 
   “由千兆赫級的MEMS振蕩器帶來的集成芯片應用潛能展示了製造應用於無線通信領域內微尺寸精度振蕩器和濾波器的非常可能性。”NXP 半導體集團I&T研究部微係統技術部門主管Reinhout Woltjer說。綜合了高品質因子的微型千兆赫MEMS振蕩器，同樣可以為自己提供空前的潛在集中感應。 
   盡管千兆赫MEMS振蕩器已被論證
，它們的極高阻抗要來源於他們的小尺寸。結果諧振時的信號強度幾乎不能被探測。力圖減小矽MEMSzhendangqizukangdeyixiefangfayijingbeitichu。tamenbaokuojianxiaobianpingoudaokuanduhebianpingoudaodezonghengbi
，zaibianhuangoudaozhongtianchonggaojiedianchangshudedianjiezhicailiao，huozheshiyongyadiancailiaolaidaitidianrongbianpin。 
   不幸的是，所有這些方法也仍然導致在振蕩器尺寸大為減小下阻抗的提高，Woltjer說，“此外，所有這些方法也增加了製造的複雜性同時製約了同標準CMOS的兼容性。" 
   在這種NXP器件中，振蕩器層通過氧化掩埋層采用反應離子刻蝕到1.5微米厚，n型矽基介質層中。各向同性刻蝕氧化物掩埋層後露出振蕩器層。平麵布線流程采用因子大約為4x。 
IEDM上展出的振蕩器預期振蕩範圍為1874290hz到1094Mhz。