巨(ju)磁(ci)阻(zu)效(xiao)應(ying)發(fa)現(xian)者(zhe)榮(rong)膺(ying)本(ben)年(nian)度(du)諾(nuo)貝(bei)爾(er)物(wu)理(li)學(xue)獎(jiang)。英(ying)飛(fei)淩(ling)現(xian)已(yi)開(kai)始(shi)利(li)用(yong)這(zhe)種(zhong)效(xiao)應(ying)測(ce)量(liang)汽(qi)車(che)轉(zhuan)向(xiang)角(jiao)度(du)，成(cheng)為(wei)全(quan)球(qiu)首(shou)家(jia)開(kai)始(shi)批(pi)量(liang)生(sheng)產(chan)集(ji)成(cheng)巨(ju)磁(ci)阻(zu)傳(chuan)感(gan)器(qi)(iGMR)的半導體供應商。英飛淩的傳感器可異常精確地測量0°到360°的轉向角度
，包含兩個GMR全橋、一個溫度傳感器、兩個模數轉換器
、數個穩壓器、濾波器以及在運行過程中能連續監控這些組件的內部機製。

　　英飛淩傳感器芯片TLE5010具備兩個數字角度分量——正弦函數和餘弦函數。通過SPI接口連接傳感器的8weiweikongzhiqiliyongzhexiefenliangjisuanshijidejiaoduxinhao。chuanganqiyuweikongqizhijiancaiyongshuzifangshichuanshushuju，tigaolekangganraoxing，ciwai，jichengdewenduchuanganqihaikeqidaobuchangdezuoyong，quebaozai-40°C至+150°C的溫度範圍內獲得非常精確的轉向角度。

　　GMR效應是由幾納米厚的多層金屬膜的磁場產生的電阻變化導致的。簡單來說，該金屬膜由具備固定的穩定磁化方向(參考方向)的參考層和磁化方向由外部磁場決定(如指南針)的傳感層構成。傳感層和參考層通過僅為幾個原子厚的銅層隔開，從而產生GMR效應。施加的磁場和傳感器參考層之間的角度決定了金屬膜的電阻變化。英飛淩成功地按照所需的精確度將這些層融入半導體標準CMOS製造工藝。

　　英飛淩傳感器銷售高級主管FrankBauche表示：“就高度集成的創新傳感器而言，英飛淩取得了傑出的技術成果。我們通過將GMR效xiao應ying用yong於yu汽qi車che應ying用yong，大da大da提ti高gao了le轉zhuan向xiang精jing度du。目mu前qian
，我wo們men正zheng在zai開kai發fa更geng智zhi能neng的de傳chuan感gan器qi，幫bang助zhu改gai善shan汽qi車che的de安an全quan性xing，提ti高gao燃ran油you效xiao率lv和he減jian少shao廢fei氣qi排pai放fang。”