英飛淩科技股份公司（FSE/NYSE：IFX）近日宣布與IBM簽訂協議，拓寬公司成熟的大容量嵌入式閃存製造工藝的應用範圍。IBM將獲得英飛淩130納米嵌入式閃存工藝的使用許可
，用於在北美地區製造全新的芯片。此外，英飛淩將利用IBM的晶圓代工服務生產基於該工藝的產品。

　　在2006年初，英飛淩的130納(na)米(mi)嵌(qian)入(ru)式(shi)閃(shan)存(cun)工(gong)藝(yi)就(jiu)已(yi)在(zai)英(ying)飛(fei)淩(ling)工(gong)廠(chang)中(zhong)得(de)到(dao)廣(guang)泛(fan)應(ying)用(yong)，用(yong)於(yu)生(sheng)產(chan)從(cong)汽(qi)車(che)係(xi)統(tong)到(dao)低(di)功(gong)率(lv)芯(xin)片(pian)卡(ka)設(she)備(bei)等(deng)應(ying)用(yong)所(suo)需(xu)的(de)高(gao)級(ji)微(wei)控(kong)製(zhi)器(qi)芯(xin)片(pian)。通(tong)過(guo)本(ben)協(xie)議(yi)，IBM還獲得了相關非易失性存儲器（NVM）知識產權的使用許可。130納米嵌入式閃存工藝的采用將提高IBM的晶圓代工能力
，使其滿足在單芯片上集成定製邏輯和高密度閃存的應用需求。

　　英飛淩執行副總裁
、管理委員會成員兼汽車、工業及多元化電子市場部主管PeterBauer表示：“我們非常高興簽訂許可協議和晶圓代工服務協議，繼續與IBM的(de)長(chang)期(qi)合(he)作(zuo)和(he)共(gong)同(tong)技(ji)術(shu)開(kai)發(fa)。通(tong)過(guo)此(ci)次(ci)合(he)作(zuo)

，英(ying)飛(fei)淩(ling)不(bu)僅(jin)能(neng)充(chong)分(fen)利(li)用(yong)自(zi)己(ji)的(de)製(zhi)造(zao)知(zhi)識(shi)產(chan)權(quan)，贏(ying)得(de)新(xin)的(de)批(pi)量(liang)製(zhi)造(zao)夥(huo)伴(ban)，而(er)且(qie)加(jia)強(qiang)了(le)與(yu)長(chang)期(qi)合(he)作(zuo)夥(huo)伴(ban)之(zhi)間(jian)的(de)關(guan)係(xi)。”

　　IBM全球工程方案部半導體解決方案副總裁SteveLongoria表示：“通(tong)過(guo)與(yu)全(quan)球(qiu)嵌(qian)入(ru)式(shi)閃(shan)存(cun)技(ji)術(shu)領(ling)導(dao)廠(chang)商(shang)英(ying)飛(fei)淩(ling)合(he)作(zuo)

，我(wo)們(men)拓(tuo)寬(kuan)了(le)自(zi)己(ji)的(de)半(ban)導(dao)體(ti)產(chan)品(pin)範(fan)圍(wei)。這(zhe)項(xiang)許(xu)可(ke)協(xie)議(yi)可(ke)充(chong)分(fen)利(li)用(yong)我(wo)們(men)現(xian)有(you)的(de)技(ji)術(shu)基(ji)礎(chu)，而(er)且(qie)給(gei)我(wo)們(men)的(de)模(mo)擬(ni)與(yu)混(hun)合(he)信(xin)號(hao)技(ji)術(shu)帶(dai)來(lai)了(le)有(you)益(yi)補(bu)充(chong)。”

　　該工藝的整合與驗證工作已開始在IBM位於佛蒙特州Burlington的200毫米晶圓廠進行
，計劃在2008年下半年推出初步設計套件。