近日，中科院微電子所納米加工與新器件集成技術實驗室成功研製出國內首個256位分子存儲器電路。

　　分fen子zi電dian路lu是shi指zhi在zai分fen子zi層ceng次ci上shang構gou築zhu的de電dian子zi器qi件jian及ji其qi集ji成cheng電dian路lu
，是shi後hou摩mo爾er時shi代dai接jie替ti矽gui基ji電dian路lu最zui受shou關guan注zhu的de方fang向xiang之zhi一yi
，它ta能neng夠gou使shi電dian子zi器qi件jian的de關guan鍵jian尺chi寸cun縮suo小xiao到dao分fen子zi尺chi度du

，突tu破po摩mo爾er定ding律lv極ji限xian，推tui動dong集ji成cheng電dian路lu向xiang更geng小xiao尺chi寸cun，更geng高gao集ji成cheng度du方fang向xiang發fa展zhan。
　　dianzuzhuanbianxingshuangwentaicailiaodecunchutexingzaixinxicunchuyijicunchuqifangmianyouzhefeichangguangkuodeyingyongqianjing，shiyizhongtianshengdecunchucailiao。juyoucileishuangwentaitexingdefenzigongnengcailiaoyouyuqidichengben、低(di)功(gong)耗(hao)，並(bing)且(qie)有(you)潛(qian)力(li)將(jiang)特(te)征(zheng)尺(chi)寸(cun)縮(suo)小(xiao)到(dao)分(fen)子(zi)尺(chi)度(du)等(deng)優(you)點(dian)，而(er)受(shou)到(dao)廣(guang)泛(fan)的(de)關(guan)注(zhu)。分(fen)子(zi)存(cun)儲(chu)器(qi)是(shi)利(li)用(yong)有(you)機(ji)分(fen)子(zi)的(de)電(dian)學(xue)雙(shuang)穩(wen)態(tai)特(te)性(xing)實(shi)現(xian)存(cun)儲(chu)功(gong)能(neng)的(de)
，分(fen)子(zi)存(cun)儲(chu)器(qi)要(yao)實(shi)現(xian)高(gao)密(mi)度(du)存(cun)儲(chu)，就(jiu)需(xu)要(yao)有(you)效(xiao)的(de)降(jiang)低(di)特(te)征(zheng)尺(chi)寸(cun)，即(ji)存(cun)儲(chu)點(dian)的(de)周(zhou)期(qi)。
　　研究人員在深入研究不同轉變機理的各種電阻轉變型雙穩態材料的基礎上
，基於一次電子束光刻和二次X射線曝光的具有完全知識產權的混合光刻技術，成功研製了國內首個256位分子存儲器電路
，該存儲器電路的特征尺寸達到250nm，電學性能優異，實驗結果表明分子存儲器的分子層沒有受到損傷。
　　國內首個256位分子存儲器電路的研製成功

，為我國分子電路的高集成度、高速度和低功耗的實現奠定了重要基礎, 有力推動了我國分子電子學的發展。
　　本工作得到了國家973項目的支持

，中國科學院化學所提供了分子材料的製備生長，二次X射線光刻工藝在國家同步輻射實驗室完成。