隨sui著zhe電dian力li電dian子zi器qi件jian產chan業ye日ri益yi受shou到dao國guo家jia重zhong視shi
，國guo家jia對dui企qi業ye和he科ke研yan機ji構gou的de扶fu持chi力li度du也ye在zai逐zhu漸jian增zeng大da。我wo國guo電dian力li電dian子zi行xing業ye在zai科ke研yan和he產chan業ye化hua不bu斷duan取qu得de突tu破po的de同tong時shi
，也ye麵mian臨lin著zhe諸zhu多duo亟ji待dai克ke服fu的de困kun難nan。 
　電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)技(ji)術(shu)直(zhi)接(jie)關(guan)係(xi)到(dao)變(bian)流(liu)技(ji)術(shu)的(de)發(fa)展(zhan)與(yu)進(jin)步(bu)，是(shi)建(jian)設(she)節(jie)約(yue)型(xing)社(she)會(hui)和(he)創(chuang)新(xin)型(xing)國(guo)家(jia)的(de)關(guan)鍵(jian)技(ji)術(shu)。近(jin)幾(ji)年(nian)來(lai)
，電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)技(ji)術(shu)水(shui)平(ping)不(bu)斷(duan)提(ti)高(gao)，應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)日(ri)益(yi)廣(guang)泛(fan)
，逐(zhu)漸(jian)成(cheng)為(wei)了(le)國(guo)民(min)經(jing)濟(ji)發(fa)展(zhan)中(zhong)基(ji)礎(chu)性(xing)的(de)支(zhi)柱(zhu)型(xing)產(chan)業(ye)之(zhi)一(yi)。 
　國家政策支持重點明確 
　隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通等技術發展和市場需求的增加，對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)
、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求非常緊迫
，而且需求量也非常大。預計國內每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT、IGBT的總量將達到50萬隻以上。但目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口。以IGBT為例，全球IGBT主要供應商集中在英飛淩、三菱、ABB、富士等少數幾家，我國隻有少數小功率IGBT的封裝線
，還不具備研發
、製造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力

，因此在技術上受製於人，這對國民經濟的健康發展與國家安全極其不利。 
　為貫徹落實“十一五”高技術產業發展規劃和信息產業發展規劃，全麵落實科學發展觀
，推進節能降耗
，促進電力電子技術和產業的發展
，根據國家發改委2007年發布的《關於組織實施新型電力電子器件產業化專項有關問題的通知》，guojiajiangshishidianlidianziqijianchanyezhuanxiang，tigaoxinxingdianlidianziqijianjishuhegongyishuiping，cujinchanyefazhan，manzushichangxuqiu，yijishujinbuhechanyeshengjituijinjienengjianghao；推動產、學

、研、用相結合，突破核心基礎器件發展的關鍵技術，完善電力電子產業鏈，促進具有自主知識產權的芯片和技術的推廣應用
；培育骨幹企業，增強企業自主創新能力。支持的重點包括以下方麵：在芯片產業化方麵，主要支持IGBT、金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)、快恢複二極管(FRD)、功率集成電路(PIC)
、IGCT等產品的芯片設計
、製造
、封裝測試和模塊組裝；在模塊產業化方麵，主要支持電力電子器件係統集成模塊，智能功率模塊(IPM)和用戶專用功率模塊(ASPM)
；在應用裝置產業化方麵，重點圍繞電機節能、照明節能、交通、電力

、冶金等領域需求，支持應用具有自主知識產權芯片和技術的電力電子裝置。 
　中國企業邁向高端市場 
　zaichanyezhengcezhichiheguominjingjifazhandetuidongzuoyongxia
，woguodianlidianzichanyehuashuipingjinnianlaiyouhendadetisheng。zhuzhounancheshidaidianqigufenyouxiangongsiyizhizhiliyutuidongwoguodianlidianzichanyedefazhan，jubeihenqiangdejishuchuangxinnengli。nancheshidaidianqitongguozizhuchuangxin
，zhangwolejuyouzizhuzhishichanquandequanyajiejishu，jiyuquanyajiejishukaifadexiliegaoyadagonglvdianlidianziqijianruxuanleguojiazhongdianxinchanpin。youqishijiyu5英寸全壓接技術，承擔了科技部“十一五”科技支撐計劃——特高壓直流輸電換流閥及6英寸晶閘管研發項目，並成功開發出了6英寸晶閘管。南車時代電氣通過多年來的創新和積累，掌握了IGCT全套設計和製造技術，拉近了與國際先進水平的差距。同時，南車時代電氣立足於IGBT應用技術，消化吸收國外先進技術，在大功率IGBT的可靠性研究和試驗等關鍵技術上取得了突破
，為IGBT的封裝和芯片研究打下了較好的基礎。 
　國(guo)內(nei)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)行(xing)業(ye)通(tong)過(guo)技(ji)術(shu)上(shang)的(de)不(bu)斷(duan)探(tan)索(suo)與(yu)追(zhui)求(qiu)
，使(shi)得(de)我(wo)國(guo)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)技(ji)術(shu)水(shui)平(ping)在(zai)不(bu)斷(duan)地(di)與(yu)國(guo)際(ji)水(shui)平(ping)接(jie)近(jin)，在(zai)一(yi)些(xie)高(gao)端(duan)市(shi)場(chang)
，已(yi)經(jing)占(zhan)有(you)一(yi)席(xi)之(zhi)地(di)。例(li)如(ru)西(xi)安(an)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)技(ji)術(shu)研(yan)究(jiu)所(suo)通(tong)過(guo)引(yin)進(jin)消(xiao)化(hua)技(ji)術(shu)，產(chan)品(pin)已(yi)經(jing)在(zai)高(gao)壓(ya)直(zhi)流(liu)輸(shu)電(dian)等(deng)高(gao)端(duan)領(ling)域(yu)批(pi)量(liang)應(ying)用(yong)；南車時代電氣近年來也逐步進入了高壓直流輸電
、SVC(動態無功補償裝置)等領域。 
　彌補差距仍需創新突破 
　雖sui然ran我wo國guo電dian力li電dian子zi技ji術shu水shui平ping在zai不bu斷duan提ti高gao，但dan國guo內nei企qi業ye與yu國guo際ji大da公gong司si相xiang比bi還hai存cun在zai著zhe較jiao大da的de差cha距ju
，尚shang不bu能neng滿man足zu國guo民min經jing濟ji發fa展zhan對dui電dian力li電dian子zi技ji術shu進jin步bu的de要yao求qiu
，也ye不bu能neng滿man足zu建jian設she資zi源yuan節jie約yue型xing和he環huan境jing友you好hao型xing社she會hui的de迫po切qie需xu求qiu。因yin此ci
，我wo國guo電dian力li電dian子zi企qi業ye仍reng然ran任ren重zhong而er道dao遠yuan。 
　在新型電力電子器件的開發上，需要探索更加積極有效的模式。在國際上
，IGBT作為一種主流器件

，已經發展到了商業化的第五代，而我國隻有少數企業從事中小功率IGBT的封裝，而且尚未形成產業規模。而在IGBT芯片的產業化以及大功率IGBT的封裝方麵

，更是一片空白。因此
，探索更加積極
、有效的模式
，促成電力電子器件企業和微電子器件企業的技術融合

、取長補短，實現IGBT的產業化


，才能填補我國基礎工業中先進電力電子器件的空白，改變技術上受製於人的局麵。 
　在zai高gao端duan傳chuan統tong型xing器qi件jian的de國guo產chan化hua方fang麵mian，還hai需xu要yao進jin一yi步bu加jia快kuai進jin程cheng。傳chuan統tong型xing的de電dian力li電dian子zi器qi件jian主zhu要yao指zhi晶jing閘zha管guan
，其qi在zai許xu多duo關guan鍵jian領ling域yu仍reng具ju有you不bu可ke替ti代dai的de作zuo用yong。尤you其qi是shi隨sui著zhe變bian流liu裝zhuang置zhi容rong量liang的de不bu斷duan加jia大da，對dui高gao壓ya大da電dian流liu的de高gao端duan傳chuan統tong型xing器qi件jian等deng需xu求qiu巨ju大da，而er我wo國guo僅jin有you少shao數shu幾ji家jia優you勢shi企qi業ye通tong過guo自zi主zhu創chuang新xin，掌zhang握wo了le高gao端duan器qi件jian的de製zhi造zao技ji術shu
，大da部bu分fen企qi業ye還hai停ting留liu在zai中zhong低di端duan器qi件jian的de製zhi造zao上shang。 
　在電力電子器件新工藝的研究方麵還需加大研發力度。一代工藝影響一代產品，電力電子工藝技術精密複雜，我國在低溫鍵合、離子注入、類金金剛石膜等一些新型的關鍵工藝技術上，還缺乏係統的創新能力，必須加速其研發進程。 
　在zai產chan業ye化hua能neng力li建jian設she方fang麵mian需xu要yao上shang新xin台tai階jie。提ti升sheng電dian力li電dian子zi產chan業ye化hua能neng力li
，有you利li於yu打da造zao現xian代dai化hua和he完wan整zheng的de裝zhuang備bei製zhi造zao業ye的de產chan業ye鏈lian
，使shi電dian力li電dian子zi技ji術shu在zai建jian設she創chuang新xin型xing、節能環保型的和諧社會中發揮更大作用。