利用目前的製程工藝，DRAM電容器與閃存存儲單元的尺寸已接近物理極限，難以進一步縮小。因此，內存製造商投入更多的精力開發DRAMheshancunyiwaidelingleineicunjiejuefangan。mianxiangtedingyongtudejizhongbutongdezhuanyongneicunmuqianyijingkegongshiyong。suiranzhexiexinchanpinjinqidoubutaikenengtiaozhanpiliangchanpin
，danzhishaodouyoutigongyixiatediandekenengxing：以低功耗快速讀寫；非易失性，具有較長的數據保持時間與循環壽命
；較小的單元尺寸。
    磁阻RAM(MRAM)、鐵電RAM(FRAM)和相變RAM(PCRAM)是人們討論最多的DRAM和閃存替代方案。相對於目前的DRAM和閃存
，上述技術都有自己的優勢，但從成本或技術角度來看，也存在一些缺點。  

內存市場不斷進化 潛力有待充分挖掘

   電阻RAMReRAM/RRAM是另外一種可能的選擇。富士通(Fujitsu)、英特爾(Intel)、三星(Samsung)、夏普(Sharp)和Spansion都在研究這種技術。這些廠商相信，ReRAM將比閃存快100倍
，而尺寸將優於相變RAM或MRAM等其它先進內存。

   碳納米管(CNT)技術也大有前途。近期內這種技術可能用於係統內存，長期可能用於複雜的邏輯器件。納米管RAM(NRAM)單元利用幾個懸在金屬電極上麵的CNT製成。當在納米管上麵施加一個微弱的偏壓時，納米管就向著電極的方向“下垂”，直到接觸為止。此時納米管被視為處於邏輯1狀態。當取消偏壓之後，納米管脫離電極，邏輯狀態恢複為零。NRAM的優點包括具有SRAM的速度
、密度遠高於DRAM
、功耗低於DRAM和閃存。另外，它不怕惡劣環境
，而且具有很好的縮微性。

   此外，最近廠商宣布的“memristor”(記憶電阻)，可能是內存供應商為創造一種通用內存而渴望的技術突破。memristor是一種電路元件
，在尺寸縮小過程中可以改善性能。

   市場調研公司ICInsights堅信，內存市場(尤其是DRAM)是進化性的，而不是革命性的。在必須轉向納米管、PCRAM或MRAM等另類內存技術之前
，內存供應商將繼續充分挖掘現有技術/架構的潛力。迄今為止，沒有一種另類內存能夠提供具有足夠誘人的解決方案
，使之優於現有的內存。