全球知名半導體製造商ROHM（總部位於日本京都市）今日宣布
，開發出100V耐壓的功率MOSFET*1“RY7P250BM”，是AI服務器的48V電源熱插拔電路*2以及需要電池保護的工業設備電源等應用的理想之選。

RY7P250BM為8×8mm尺寸的MOSFET
，預計該尺寸產品未來需求將不斷增長
，可以輕鬆替代現有產品。另外
，新產品同時實現了更寬SOA範圍*3（條件：VDS=48V

、Pw＝1ms/10ms）和更低導通電阻（RDS(on)）*4，由此既可確保熱插拔（電源啟動）工作時的更高產品可靠性

，又能優化電源效率，降低功耗並減少發熱量。

為了兼顧服務器的穩定運行和節能
，熱插拔電路必須具有較寬的SOA範圍
，以承受大電流負載。特別是AI服務器的熱插拔電路，與傳統服務器相比需要更寬的SOA範圍。RY7P250BM的SOA在脈寬10ms時可達16A
、1ms時也可達50A
，實現業界超優性能
，能夠應對以往MOSFET難以支持的高負載應用。

RY7P250BM是具有業界超寬SOA範圍的MOSFET，並且實現了更低導通電阻，從而大幅降低了通電時的功率損耗和發熱量。具有寬SOA範圍的普通8×8mm尺寸100V耐壓MOSFET的導通電阻絕大多數約為2.28mΩ，而RY7P250BM的導通電阻則降低了約18%——僅有1.86mΩ（條件：VGS=10V
、ID=50A、Tj=25℃）。這種低導通電阻有助於提升服務器電源的效率、減輕冷卻負荷並降低電力成本。

與此同時，RY7P250BM還被全球知名雲平台企業認證為推薦器件
，預計未來將在AI服務器領域得到更廣泛的應用。在注重可靠性與節能的服務器領域中
，RY7P250BM更寬SOA範圍與更低導通電阻的平衡在雲應用中得到了高度好評。

新產品已經暫以月產100萬個的規模投入量產（樣品價格800日元/個，不含稅）。前道工序的生產基地為ROHM Co., Ltd.（日本滋賀工廠），後道工序的生產基地為OSAT（泰國）。另外，新產品已經開始通過電商進行銷售，通過電商平台均可購買。

未來
，ROHM將繼續擴大適用於服務器和工業設備48V電源的產品陣容，通過提供效率高且可靠性高的解決方案
，為建設可持續ICT基礎設施和節能貢獻力量。

＜開發背景＞

隨著AI技術的飛速發展
，數據中心的負載急劇增加，服務器功耗也逐年攀升。特別是隨著配備生成式AI和高性能GPU的服務器日益普及

，如何兼顧進一步提升電力效率和支持大電流這兩個相互衝突的需求
，一直是個難題。在此背景下
，相較傳統12V電源係統具有更高轉換效率的48V電源係統正在加速擴大應用。另外
，在服務器運行狀態下實現模塊更換的熱插拔電路中
，需要兼具更寬SOA範圍和更低導通電阻的MOSFET，以防止浪湧電流*5和過載時造成損壞。新產品“RY7P250BM”在8×8mm尺寸中同時具備業界超寬SOA範圍和超低導通電阻，有助於降低數據中心的功率損耗
、減輕冷卻負荷，從而提升服務器的可靠性並實現節能。

＜產品主要特性＞

＜應用示例＞

・AI（人工智能）服務器和數據中心的48V係統電源熱插拔電路

・工業設備48V係統電源（叉車、電動工具、機器人、風扇電機等）

・AGV（自動導引車）等電池驅動的工業設備

・UPS
、應急電源係統（電池備份單元）

＜電商銷售信息＞

發售時間：2025年5月起

新產品在其他電商平台也將逐步發售。

產品型號：RY7P250BM