2025年9月11日，致力於亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下詮鼎推出兩款基於英諾賽科（Innoscience）InnoGaN INN100EA035A氮化镓功率晶體管和INS2002FQ氮化镓半橋驅動IC的48V四相2kW降壓電源方案。

圖示1-大聯大詮鼎基於英諾賽科產品的48V四相2kW降壓電源的展示板圖

隨著人工智能與高性能計算的爆發式增長

，CPU/GPU的功率持續升高。為顯著降低傳輸損耗，全球服務器供電架構正從12V向48V係統加速升級。然而，受限於服務器內部的空間尺寸，傳統的電源方案往往需要更高的功率密度來實現從48V到12V的供電轉換。此背景下
，大聯大詮鼎基於英諾賽科InnoGaN INN100EA035A氮化镓功率器件和INS2002FQ氮化镓半橋驅動IC推出兩款48V四相2kW降壓電源方案，旨在為48V服務器、新能源汽車係統或通信模塊提供高效、可靠的電源供電。

圖示2-大聯大詮鼎基於英諾賽科產品的48V四相2kW降壓電源的場景應用圖

與Si MOS相比
，GaNjuyouchusedekaiguantexing，qiekaiguansunhaogengdi。yincinenggoushixiangenggaodezhuanhuanxiaolv，bingtishengkaiguanpinlv，tongshijianxiaocixingqijianchicunhelvbodianrongtiji，jinertigaogonglvmidu。cicidaliandaquandingjiyuyingnuosaikechanpintuichudeliangkuanfanganjuncaiyongsixiangjiaocuoBuck拓撲，每相使用1顆100V氮化镓半橋驅動IC INS2002FQ和4顆100V雙麵散熱的低壓氮化镓功率晶體管INN100EA035A進行功率傳輸。

INN100EA035A采用雙麵散熱En-FCLGA封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu)

，這(zhe)一(yi)創(chuang)新(xin)設(she)計(ji)顛(dian)覆(fu)了(le)傳(chuan)統(tong)的(de)單(dan)冷(leng)卻(que)封(feng)裝(zhuang)熱(re)管(guan)理(li)方(fang)式(shi)，可(ke)有(you)效(xiao)降(jiang)低(di)器(qi)件(jian)的(de)工(gong)作(zuo)結(jie)溫(wen)。並(bing)且(qie)該(gai)產(chan)品(pin)具(ju)備(bei)超(chao)低(di)導(dao)通(tong)電(dian)阻(zu)
，能(neng)大(da)幅(fu)降(jiang)低(di)能(neng)量(liang)損(sun)耗(hao)，是(shi)實(shi)現(xian)高(gao)功(gong)率(lv)密(mi)度(du)方(fang)案(an)的(de)關(guan)鍵(jian)所(suo)在(zai)。

INS2002FQ采用英諾賽科自研的FCQFN 3mm×3mm封裝，專為驅動GaN而設計，其集成自舉與BST鉗位電路


，支持獨立上拉和下拉輸出引腳
，可分別調節開通和關斷速度。並且器件也支持三態PWM輸入

，可靈活調節死區時間，實現低延遲
、高驅動能力，非常適合高功率和高頻率的應用場合。

圖示3-大聯大詮鼎基於英諾賽科產品的48V四相2kW降壓電源的方塊圖

兩款解決方案分別采用雙耦合/四耦合電感設計。這種設計將傳統Buck方fang案an中zhong的de分fen立li電dian感gan替ti換huan為wei低di耦ou合he係xi數shu的de耦ou合he電dian感gan，可ke有you效xiao降jiang低di電dian感gan紋wen波bo電dian流liu，同tong時shi減jian少shao電dian感gan和he電dian容rong體ti積ji
，有you助zhu於yu提ti升sheng係xi統tong功gong率lv密mi度du，實shi現xian靈ling活huo的de拓tuo展zhan功gong能neng。在zai40Vdc-60Vdc輸入
、12V/167A輸出的條件下
，兩款方案的最大輸出功率為2000W。其中采用雙耦合電感設計的峰值效率為98%@1200W，滿載效率為97.6%@2000W；采用四耦合電感的峰值效率為98.1%@1000W，滿載效率為97.7%@2000W。與市麵上具有出色性能的Si MOSFET相比，兩款方案的峰值效率和滿載效率均提升1%以上。

核心技術優勢：

四相交錯Buck拓撲，生態成熟，拓展性靈活
；

效率超98%，峰值效率和滿載效率均比出色的Si MOSFET高1%以上；

高開關頻率、高功率密度
，且大幅降低能耗，滿載無風條件下，器件熱點溫度比出色的Si MOSFET低15度以上。

方案規格：

輸入電壓：48V；

輸入欠壓保護：39V；

輸入過壓保護：63V；

輸出電壓：12V
；

輸出過壓保護：15V；

輸出限流：200A
；

輸出功率：2000W；

開關頻率：250KHz；

滿載效率：97.62%。