消費性應用推動，2009增至80億美元 

   來自InformationNetwork的數據表示，2008年全球MEMS器件出貨量增長25%
，達到25億顆


，營收也隨之增長11%左右，接近78億美元。該公司預計
，到2012年MEMS市場總額將會達到154億美元
，而消費類電子仍將占據46%的份額，消耗掉價值為71億美元的MEMS器件。“MEMS已經成為噴墨打印機以及數碼相機等消費類電子產品中的一項標準配置，此外采用了3D傳感器和加速計的MEMS器件正在包括手機、遊戲控製器、玩具、GPS
、筆記本電腦以及硬盤等在內的新興應用中找到新的市場。”Mckie表示。

   多年來一直追蹤MEMS市場變化的法國市場研究與戰略谘詢公司YoleDevelopment不久前發布的一份報告顯示
，2009年全球MEMS市場仍將溫和增長。這份由EETimes轉載的報告稱，該公司CEOJeanChirstopheEloy表示
，2009年全球MEMS市場總額將增長至80億美元左右。雖然權重較小的汽車類業務會下降10%左右，不過，占大頭的消費類應用則會增長5%

，從32.6億美元增長至36億美元。

   Mckie是在一年一度的Semicon針對全球MEMS市場做出上述評論的。與此同時，該公司還展示了旨在為MEMS設計師提供更多生產選擇、並提供更加寬泛的工藝窗口和各種工藝控製的汽相氧化物釋放蝕刻模塊技術。來自英國蘇格蘭的Point35Microstructure創建於2003年，以提供各種高質量的翻新半導體製造係統起家。2004年，該公司進入MEMS領域，推出了自有的messtar係統。

   創新工藝帶來更大設計自由度

   Mckie表示
，目前晶圓廠中鮮有專為MEMS製造而設計的。相反
，大部分都采用已有的設備進行MEMS生產。雖然部分MEMS製造的確可以采用現有的光刻、薄膜氣相沉積等工藝進行，但諸如深反應離子蝕刻、等向性蝕刻、抗粘滯薄膜等被認為是MEMS發展趨勢工藝製程卻必須要使用特定的製造設備。

   傳統的MEMS工藝主要以幹法蝕刻為主，不過由於它是一種垂直工藝，比如在如圖所示的需要橫向工藝來將底部掏空的場合就無法勝任。“這無疑會對MEMS設計工程師的自由度造成局限，進而影響到他們無法再特定的器件技術下無法選擇最優的工藝集成方案。”Mckie表示
，“此外，濕法刻蝕（如KOH溶液）還無法同CMOS技術兼容，並帶來工藝控製程度低、釋放粘滯（Releasestiction）、對集成電路可能造成破壞以及環境問題等諸多不良影響。”

   MEMSzhizaoruhebaituoshifakeshidailaidekunjing
？xuanzexindecailiaowuyishiyitiaobiyouzhilu。buguo
，zheliyaoqiangtiaodeshi，xunzhaoyizhongnengshiyingmouzhonggongyidecailiaokenengshiyigecuowudefangxiang。Point35的選擇是——尋找一種能夠適應器件需求的材料。這就是被稱之為犧牲性汽相釋放（SVR）模塊技術的由來。

   Mckie介紹
，與濕法化學的蝕刻不同
，SVR可以完全取出材料而不損壞機械結構或產生黏附問題，而且還具有高度的可選擇性
、可重複性以及均勻性。此外，SVR保留了幹燥的表麵
，省去了包含在濕法工藝中的表麵準備、引入酸、中和以及隨後的幹燥等步驟。而同CMOS工藝兼容的優勢也令MEMS器件如IC般在相同的設施和基板上進行生產，並適用於新類型的單芯片MEMS/CMOS器件。

   Point35Microstructure的SVR工藝采用XeF2作為升華物（SublimatingSolid）
，無水氫氟蒸汽aHF來去除犧牲氧化物，從而釋放MEMS機械結構。

   拿下中國買家

   “汽相工藝對滿足MEMS設計技術的發展需求起著至關重要的作用。”Mckie指出，“Point35Microstructure完備的SVR工藝組合支持氧化物和矽釋放技術，這些將領設計師和製造商充分認識到MEMS廣泛的應用中蘊藏的巨大市場潛力。”

   由於Memssstar可以覆蓋從設計研發到產品量產的全麵需求，經過更換模塊就能輕鬆實現，為研發到量產節省重新購置機台的費用。Point35Microstructure技術也吸引了中國晶圓廠的注意。
   “今年7月，將有一台Memsstar機台進入中國晶圓廠。”Mckie透露。