http://www.kadhoai.com.cn 2026-04-08 00:12:59 來源:中國工業報
編者語:我wo國guo電dian力li電dian子zi行xing業ye技ji術shu水shui平ping與yu國guo際ji水shui平ping相xiang比bi存cun在zai較jiao大da差cha距ju,尚shang未wei滿man足zu建jian設she資zi源yuan節jie約yue型xing和he環huan境jing友you好hao型xing社she會hui的de迫po切qie需xu求qiu。尤you其qi是shi關guan鍵jian技ji術shu受shou製zhi於yu人ren,已yi成cheng為wei影ying響xiang行xing業ye持chi續xu發fa展zhan的de瓶ping頸jing。
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得到政策扶持
電力電子器件產業直接關係到變流技術的發展與進步,其技術水平成為建設節約型社會和創新型國家的關鍵因素。
隨著我國特高壓直流輸電、高壓變頻、交流傳動機車/動車組、城市軌道交通等領域技術發展和市場需求的增加,對5英寸及6英寸晶閘管、IGCT(集成門極換流晶閘管)、IGBT(絕緣柵雙極晶體管)的需求非常緊迫,而且需求量也非常大。預計國內每年需要5英寸、6英寸晶閘管、IGCT、IGBT的總量將達到50萬隻以上。然而目前國內市場所需的高端電力電子器件主要依賴進口。
以IGBT為例,全球IGBT主要供應商集中在英飛淩、三菱、ABB、富士等少數幾家公司。目前,我國隻有少數小功率IGBT的封裝線,還不具備研發、製造管芯的能力和大功率IGBT的封裝能力。因此,在技術上長期受製於人,這對國民經濟的健康發展與國家安全極其不利。
為貫徹落實“十一五”高技術產業發展規劃和信息產業發展規劃,全麵落實科學發展觀,推進節能降耗,促進電力電子技術和產業的發展,根據國家發改委《關於組織實施新型電力電子器件產業化專項有關問題的通知》,我國將實施電力電子器件產業專項政策,提高新型電力電子器件技術和工藝水平。
其主要內容包括:促進產業發展,滿足市場需求,以技術進步和產業升級推進節能降耗;推動產、學、研、用相結合,突破核心基礎器件發展的關鍵技術,完善電力電子產業鏈,促進具有自主知識產權的芯片和技術的推廣應用;培育骨幹企業,增強企業自主創新能力。
其主要支持的重點領域有:在芯片產業化方麵,主要支持IGBT、金屬氧化物半導體場效應管(MOSFET)、快恢複二極管(FRD)、功率集成電路(PIC)、IGCT等產品的芯片設計、製造、封裝測試和模塊組裝。
在模塊產業化方麵,主要支持電力電子器件係統集成模塊,智能功率模塊(IPM)和用戶專用功率模塊(ASPM)。
在應用裝置產業化方麵,重點圍繞電機節能、照明節能、交通、電力、冶金等領域需求,支持應用具有自主知識產權芯片和技術的電力電子裝置。
仍需突破創新
zaichanyezhengcezhichiheguominjingjifazhandetuidongzuoyongxia,woguodianlidianzichanyehuashuipingjinnianlaiyouhendatigao。tongguojishushangdebuduantansuoyuzhuiqiu,shiqijishushuipingzhubuyuguojishuipingjiejin,youqishizaiyixiegaoduanshichanglingyuyijingzhanyouyixizhidi。liruxiandianlidianzijishuyanjiusuotongguoyinjinxiaohuajishu,chanpinyijingzaigaoyazhiliushudiandenggaoduanlingyupiliangyingyong。
zhideguanzhudeshi,suiranwoguodianlidianzijishushuipingzaibuduantigao,danguoneiqiyeyuguojidagongsixiangbihaicunzaizhejiaodadechaju,shangbunengmanzuguominjingjifazhanduidianlidianzijishujinbudeyaoqiu,yebunengmanzujiansheziyuanjieyuexinghehuanjingyouhaoxingshehuidepoqiexuyao。jucifenxi,woguodianlidianzixingyezhuishangguojishuipingrengranrenzhongerdaoyuan。
目前,在新型電力電子器件的開發上,需要探索更加積極有效的模式。在國際上,IGBT作為一種主流器件,已經發展到了商業化的第五代,而我國隻有少數企業從事中小功率IGBT的封裝,而且尚未形成產業規模。我國在IGBT芯片的產業化以及大功率IGBT的封裝領域,技術更是一片空白。因此,探索更加積極、有效的模式,促成電力電子器件企業和微電子器件企業的技術融合、取長補短,實現IGBT的產業化,才能盡快填補我國基礎工業中先進電力電子器件的空白,改變技術上受製於人的局麵。
同(tong)時(shi),在(zai)高(gao)端(duan)傳(chuan)統(tong)型(xing)器(qi)件(jian)的(de)國(guo)產(chan)化(hua)方(fang)麵(mian),還(hai)需(xu)要(yao)進(jin)一(yi)步(bu)加(jia)快(kuai)進(jin)程(cheng)。傳(chuan)統(tong)型(xing)的(de)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)主(zhu)要(yao)指(zhi)晶(jing)閘(zha)管(guan),其(qi)在(zai)許(xu)多(duo)關(guan)鍵(jian)領(ling)域(yu)仍(reng)具(ju)有(you)不(bu)可(ke)替(ti)代(dai)的(de)作(zuo)用(yong),尤(you)其(qi)是(shi)隨(sui)著(zhe)變(bian)流(liu)裝(zhuang)置(zhi)容(rong)量(liang)的(de)不(bu)斷(duan)加(jia)大(da),對(dui)高(gao)壓(ya)大(da)電(dian)流(liu)的(de)高(gao)端(duan)傳(chuan)統(tong)型(xing)器(qi)件(jian)等(deng)產(chan)品(pin)的(de)需(xu)求(qiu)巨(ju)大(da),而(er)我(wo)國(guo)僅(jin)有(you)少(shao)數(shu)幾(ji)家(jia)優(you)勢(shi)企(qi)業(ye)通(tong)過(guo)自(zi)主(zhu)創(chuang)新(xin)掌(zhang)握(wo)了(le)高(gao)端(duan)器(qi)件(jian)的(de)製(zhi)造(zao)技(ji)術(shu),大(da)部(bu)分(fen)企(qi)業(ye)還(hai)停(ting)留(liu)在(zai)中(zhong)低(di)端(duan)器(qi)件(jian)的(de)製(zhi)造(zao)上(shang)。
從(cong)行(xing)業(ye)總(zong)體(ti)看(kan),在(zai)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)器(qi)件(jian)新(xin)工(gong)藝(yi)的(de)研(yan)究(jiu)方(fang)麵(mian)還(hai)需(xu)加(jia)大(da)研(yan)發(fa)力(li)度(du)。一(yi)代(dai)工(gong)藝(yi)影(ying)響(xiang)一(yi)代(dai)產(chan)品(pin),電(dian)力(li)電(dian)子(zi)工(gong)藝(yi)技(ji)術(shu)精(jing)密(mi)複(fu)雜(za),而(er)國(guo)內(nei)生(sheng)產(chan)企(qi)業(ye)在(zai)低(di)溫(wen)鍵(jian)合(he)、離子注入、類金金剛石膜等新型的關鍵工藝技術上還缺乏係統的創新能力,必須加速其研發進程。
與(yu)此(ci)同(tong)時(shi),在(zai)產(chan)業(ye)化(hua)能(neng)力(li)建(jian)設(she)方(fang)麵(mian)還(hai)需(xu)要(yao)上(shang)新(xin)台(tai)階(jie)。大(da)力(li)提(ti)升(sheng)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)產(chan)業(ye)化(hua)能(neng)力(li),將(jiang)有(you)利(li)於(yu)打(da)造(zao)現(xian)代(dai)化(hua)和(he)完(wan)整(zheng)的(de)裝(zhuang)備(bei)製(zhi)造(zao)業(ye)產(chan)業(ye)鏈(lian),從(cong)而(er)使(shi)電(dian)力(li)電(dian)子(zi)行(xing)業(ye)在(zai)建(jian)設(she)創(chuang)新(xin)型(xing)、節能環保型的和諧社會中發揮更大的作用。