賓夕法尼亞、MALVERN — 2011 年 3 月 28 日 — 日前，Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，其VCNL4000接近與環境光光學傳感器及SiR880DP ThunderFET® 80 V功率MOSFET榮獲EN-Genius Network 頒發的年度產品獎，該網站在為電子設計工程師提供信息來源方麵走在業界前列。

　　EN-Genius 2010年度產品獎的獲獎產品是由EN-Genius主編Paul McGoldrick，以及編輯Lee Goldberg和Alex Mendelsohn從年內公開發布的產品中挑選出來的。

　　Vishay的VCNL4000被EN-Genius授予光檢測領域的最佳研發獎。該器件完整集成了接近與環境光光學傳感器

，在業內首次將紅外濾波器、光PIN二極管、環境光探測器、信號處理IC和16bit ADC集成進小尺寸的3.95 mm x 3.95 mm x 0.75 mm無引線(LLP)表麵貼裝封裝裏。節省空間的VCNL4000支持易用的I2C總線通信接口，能夠在各種消費和工業應用中大幅簡化設計。

　　EN-Genius表示：“Vishay將光探測領域的豐富經驗應用到這個產品上，對於移動設備的接近檢測
、顯示/鍵盤對比度控製和調光應用
，這款產品在性能和尺寸都堪稱完美。產品定價非常合理，在性能表現上也極為出色。”

　　Vishay的ThunderFET SiR880DP被EN-Genius評為最佳高壓功率MOSFET，該MOSFET在製造過程中采用了一種新的為更高電壓MOSFET優化的低導通電阻技術。SiR880DP是首款可在4.5V柵極驅動下導通的80V功率MOSFET


，采用熱增強型PowerPAK® SO-8封裝
，在4.5V、7.5V和10V下具有8.5mΩ、6.7mΩ和5.9mΩ的超低導通電阻。在4.5V下，典型導通電阻與柵極電荷乘積為161，該數值是衡量DC-DC轉換器應用中MOSFET的優值係數(FOM，單位是nC-mΩ)。

　　EN-Genius評價：“N溝道SiR880DP的顯著特點是兼有高電壓等級和4.5V柵極驅動等級，且能提供超低的導通電阻。SiR880DP能在4.5V電壓下導通，這樣就能用5V PWM IC實現更高頻率的轉換器
，而不需要目前所使用的6V器件。產品定價非常有吸引力，還能讓以前的設計在DC-DC轉換器中繼續發揮餘熱。”

　　Vishay獲獎產品的鏈接如下：

　　http://www.vishay.com/docs/83798 (VCNL4000)

　　http://www.vishay.com/docs/65702 (SiR880DP)

　　VCNL4000和SiR880DP現可提供樣品

，並已實現量產，大宗訂貨的供貨周期分別為十周和十六周。

　　VISHAY簡介

　　Vishay Intertechnology, Inc. 是在紐約證券交易所上市（VSH）的“財富1,000 強企業”
，是全球分立半導體（二極管、MOSFET和紅外光電器件）和無源電子元件（電阻器、電感器、電容器）的最大製造商之一。這些元器件可用於工業、計算
、汽車、消費
、電信


、軍事、航空航天
、電源及醫療市場中幾乎所有類型的電子設備和裝備。憑借產品創新、成功的收購戰略
，以及“一站式”服務使Vishay成為了全球業界領先者。有關Vishay的詳細信息，敬請瀏覽網站 www.vishay.com。

　　PowerPAK®和ThunderFET®是Siliconix incorporated公司的注冊商標。