三菱電機攜同汽車用J係列EV-IPM和EV T-PM，在6月21日於上海國際會議中心開幕的PCIM 2011亞洲展（展位號A78-A87）中亮相，向參觀者介紹高性能、超可靠
、低損耗的汽車用功率半導體模塊，大受廠家歡迎。

　　shoudaojinjinianhuanbaoyishitigaodeyingxiang，hunhedongliqichehediandongqichedengshichangbuduankuoda。youyuduiqicheyouzhehengaodeanquanxingyaoqiu，yinerduiyongyuqichemadaqudongdegonglvbandaotimokuai，yeyaoqiuqijuyouchaochuputonggongyeyongtudekekaoxing。

　　三菱電機引領業界之先
，於2004年采用以硬質樹脂封裝功率半導體矽片的壓注模封裝技術
，生產出可靠性高且無鉛化的汽車用功率半導體模塊。 這次

，三菱電機又推出新的汽車用功率半導體模塊J係列EV-IPM和J係列EV T-PM。

　　J係列EV-IPM采用第5代LPT- CSTBTTM矽片技術
，模塊內矽片上集成電流和溫度傳感器

，雜散電感低。模塊采用自1997年以來已成功量產的先進製造工藝，實施從模塊材料到零件與生產履曆的矽片級可追溯性管理，滿足ELV汽車的安全規格。目前開發的J係列EV-IPM產品的電流電壓等級分別有：300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。

　　J係列EV T-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBTTM矽片技術，模塊內矽片上集成電流和溫度傳感器。模塊內部構造不同於以往用鋁電線連接功率半導體矽片和主端子，而是采用DLB構造，成功將主端子延長，使之直接與功率半導體矽片焊接。利用DLB構造提高了模塊的可靠性。

　　此外，模塊采用2合1壓(ya)注(zhu)膜(mo)封(feng)裝(zhuang)技(ji)術(shu)，使(shi)得(de)模(mo)塊(kuai)內(nei)的(de)配(pei)線(xian)電(dian)阻(zu)和(he)電(dian)感(gan)得(de)到(dao)減(jian)小(xiao)
，從(cong)而(er)降(jiang)低(di)了(le)模(mo)塊(kuai)的(de)損(sun)耗(hao)。模(mo)塊(kuai)實(shi)施(shi)從(cong)模(mo)塊(kuai)材(cai)料(liao)到(dao)零(ling)件(jian)與(yu)生(sheng)產(chan)履(lv)曆(li)的(de)矽(gui)片(pian)級(ji)可(ke)追(zhui)溯(su)性(xing)管(guan)理(li)。滿(man)足(zu)ELV汽車安全規格，確保用於汽車的質量與產品壽命。目前開發的J係列EV T-PM產品的電流電壓等級分別有：300A/600V，600A/600V和300A/1200V。