安森美宣布推出采用行業標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業應用的電源封裝技術帶來突破。這款新品為電動汽車
、太陽能基礎設施及儲能係統等市場的高功率
、高電壓應用提供增強的散熱性能
、可靠性和設計靈活性。

安森美采用T2PAK封裝的650V和950V 最新EliteSiC MOSFET係列

，將公司業界領先的碳化矽技術與極具創新性的頂部冷卻封裝相結合。首批器件已向主要客戶發貨，安森美計劃於2025年第四季度及之後推出更多產品。通過在EliteSiC係列全麵采用T2PAK封裝
，安森美為汽車與工業客戶提供了強有力的全新選擇
，滿足其在嚴苛高壓應用中對效率
、緊湊性和耐用性的需求。

隨著太陽能逆變器、diandongqichechongdianqihegongyedianyuandengyingyongduigonglvxuqiudebuduanpansheng，gaoxiaodereguanliyichengweiguanjiandegongchengtiaozhan。chuantongfengzhuangfangshichangposhishejirenyuanzaisanrexiaolvyukaiguanxingnengzhijianzuochuqushe。EliteSiC T2PAK解決方案通過將熱量從印刷電路板（PCB）高效地直接傳導至係統冷卻架構，實現了性能與散熱的雙贏，從而帶來以下優勢：

• 卓越的熱效率
，降低工作溫度

• 降低元器件應力，延長係統使用壽命

• 更高的功率密度
，實現緊湊的係統設計

• 簡化係統設計，加快產品上市速度

“熱re管guan理li是shi當dang今jin汽qi車che和he工gong業ye市shi場chang中zhong電dian力li係xi統tong設she計ji人ren員yuan麵mian臨lin的de最zui關guan鍵jian挑tiao戰zhan之zhi一yi。這zhe些xie領ling域yu的de功gong率lv係xi統tong設she計ji人ren員yuan正zheng尋xun求qiu兼jian具ju效xiao率lv與yu可ke靠kao性xing的de解jie決jue方fang案an。憑ping借jie我wo們men的deEliteSiC技術和創新的T2PAK 頂部冷卻封裝
，客戶能夠實現卓越的散熱性能和設計靈活性，助力其打造出在當今競爭格局中脫穎而出的新一代產品。”安森美碳化矽事業部副總裁兼負責人Auggie Djekic表示。

工作原理：T2PAK 頂部冷卻封裝通過將MOSFET與散熱片直接熱耦合
，在散熱和開關性能之間實現了極佳平衡。該設計最大限度降低了結點至散熱片的熱阻

，並支持多種導通電阻Rds(on) 選項（12mΩ - 60mΩ）

，從而提升設計靈活性。關鍵技術亮點包括：

• 通過將熱量直接傳導至係統散熱片，規避了PCB的散熱限製，實現卓越的散熱性能

• 保持低雜散電感，實現更快的開關速度並降低能耗

• 兼具TO-247和D2PAK封裝優勢，且無明顯缺陷

憑借EliteSiC在T2PAK頂部冷卻封裝中卓越的性能指標，設計人員能夠打造出更緊湊

、散熱性能更好、且更高效率的係統。