法國格勒諾布爾 - Media OutReach - 2022年3月 - Teledyne e2v半導體的超高密度存儲器DDR4的de開kai發fa仍reng在zai繼ji續xu

，有you消xiao息xi稱cheng，宇yu航hang級ji正zheng片pian現xian在zai正zheng在zai運yun往wang世shi界jie各ge地di的de關guan鍵jian客ke戶hu。這zhe標biao誌zhi著zhe在zai所suo提ti供gong的de樣yang品pin成cheng功gong帶dai來lai廣guang泛fan的de活huo動dong設she計ji和he這zhe項xiang技ji術shu的de采cai用yong之zhi後hou
，這zhe一yi開kai創chuang性xing項xiang目mu向xiang前qian邁mai出chu了le一yi大da步bu。因yin此ci
，該gai公gong司si現xian在zai正zheng進jin入ru大da規gui模mo生sheng產chan階jie段duan，可ke提ti供gong宇yu航hang級ji耐nai輻fu射sheDDR4。

　　Teledyne e2v的DDR4s存儲容量為4G字節，尺寸僅為15mm x 20mm x 1.92mm
，其存儲密度遠高於競爭對手的解決方案——僅占PCB基板麵的一半，體積幾乎減少了一個數量級。它們擁有高性能，並可提供2.4GT/s的數據傳輸速度。

　　每個Teledyne e2v DDR4T04G72內存都以多芯片封裝（MCP）形式提供，具有擴展總線功能
，其中64位用於數據傳輸，另外8位用於糾錯。DDR4T04G72是該公司自己的Qormino®處理器的最佳配套產品
，並且與其他供應商提供的絕大多數處理器、SOC和FPGA具有很好的兼容性。

　　對這些DDR4進行輻射測試表明，它們的單事件鎖定（SEL）閾值大於60MeV.cm²/mg。它們的單粒子翻轉（SEU）和單粒子功能中斷（SEFI）數據也超過60MeV.cm²/mg，並且它們已經驗證了對100krad總離子幅射量（TID）的恢複能力。

　　Teledyne e2v的DDR4可訂購適合工業溫度範圍（-40°C至105°C）的也可訂購適合軍事溫度範圍（-55°C至125°C）的

，並可達到NASA 1級（基於NASA EEE-INST-002 - Section M4 - PEMs），這意味著可以滿足更廣泛的潛在應用。

　　“我wo們men被bei視shi為wei太tai空kong應ying用yong中zhong高gao密mi度du耐nai輻fu射she存cun儲chu器qi的de領ling先xian者zhe
，我wo們men的de技ji術shu已yi經jing在zai市shi場chang上shang獲huo得de了le令ling人ren難nan以yi置zhi信xin的de好hao評ping。我wo們men與yu競jing爭zheng對dui手shou的de不bu同tong之zhi處chu在zai於yu，我wo們men提ti供gong了le全quan麵mian、開放的數據包，為客戶提供了在盡可能短的時間內開始設計和完成設計所需的一切
，並隨時提供所有背景信息和專家工程支持” Teledyne e2v的營銷及業務開發經理Thomas Guillemain表示：“我們為航天工業提供了可靠的緊湊型、易於連接的存儲器
，提高了性能基準。我們在下一階段的路線圖上取得了長足的進步
，其他幾代乃至更高容量的設備目前正在籌備中。”