法國格勒諾布爾 - Media OutReach - 2022年3月 - Teledyne e2v半導體的超高密度存儲器DDR4的(de)開(kai)發(fa)仍(reng)在(zai)繼(ji)續(xu)，有(you)消(xiao)息(xi)稱(cheng)，宇(yu)航(hang)級(ji)正(zheng)片(pian)現(xian)在(zai)正(zheng)在(zai)運(yun)往(wang)世(shi)界(jie)各(ge)地(di)的(de)關(guan)鍵(jian)客(ke)戶(hu)。這(zhe)標(biao)誌(zhi)著(zhe)在(zai)所(suo)提(ti)供(gong)的(de)樣(yang)品(pin)成(cheng)功(gong)帶(dai)來(lai)廣(guang)泛(fan)的(de)活(huo)動(dong)設(she)計(ji)和(he)這(zhe)項(xiang)技(ji)術(shu)的(de)采(cai)用(yong)之(zhi)後(hou)，這(zhe)一(yi)開(kai)創(chuang)性(xing)項(xiang)目(mu)向(xiang)前(qian)邁(mai)出(chu)了(le)一(yi)大(da)步(bu)。因(yin)此(ci)
，該(gai)公(gong)司(si)現(xian)在(zai)正(zheng)進(jin)入(ru)大(da)規(gui)模(mo)生(sheng)產(chan)階(jie)段(duan)，可(ke)提(ti)供(gong)宇(yu)航(hang)級(ji)耐(nai)輻(fu)射(she)DDR4。

　　Teledyne e2v的DDR4s存儲容量為4G字節，尺寸僅為15mm x 20mm x 1.92mm，其存儲密度遠高於競爭對手的解決方案——僅占PCB基板麵的一半
，體積幾乎減少了一個數量級。它們擁有高性能
，並可提供2.4GT/s的數據傳輸速度。

　　每個Teledyne e2v DDR4T04G72內存都以多芯片封裝（MCP）形式提供，具有擴展總線功能
，其中64位用於數據傳輸，另外8位用於糾錯。DDR4T04G72是該公司自己的Qormino®處理器的最佳配套產品
，並且與其他供應商提供的絕大多數處理器、SOC和FPGA具有很好的兼容性。

　　對這些DDR4進行輻射測試表明
，它們的單事件鎖定（SEL）閾值大於60MeV.cm²/mg。它們的單粒子翻轉（SEU）和單粒子功能中斷（SEFI）數據也超過60MeV.cm²/mg，並且它們已經驗證了對100krad總離子幅射量（TID）的恢複能力。

　　Teledyne e2v的DDR4可訂購適合工業溫度範圍（-40°C至105°C）的也可訂購適合軍事溫度範圍（-55°C至125°C）的
，並可達到NASA 1級（基於NASA EEE-INST-002 - Section M4 - PEMs），這意味著可以滿足更廣泛的潛在應用。

　　“womenbeishiweitaikongyingyongzhonggaomidunaifushecunchuqidelingxianzhe，womendejishuyijingzaishichangshanghuodelelingrennanyizhixindehaoping。womenyujingzhengduishoudebutongzhichuzaiyu
，womentigonglequanmian、開放的數據包，為客戶提供了在盡可能短的時間內開始設計和完成設計所需的一切

，並隨時提供所有背景信息和專家工程支持” Teledyne e2v的營銷及業務開發經理Thomas Guillemain表示：“我們為航天工業提供了可靠的緊湊型、易於連接的存儲器
，提高了性能基準。我們在下一階段的路線圖上取得了長足的進步，其他幾代乃至更高容量的設備目前正在籌備中。”