http://www.kadhoai.com.cn 2026-04-07 23:47:02 來源:pSemi
多功能產品組合覆蓋 24-40GHz 頻段,展示了集成模塊、分立波束成形及升降頻轉換器射頻集成電路(RFIC)等技術
聖迭戈,2022年2月1日——村田旗下公司、專注於半導體集成技術的pSemi® Corporation宣布將其毫米波(mmWave)射頻前端產品組合拓展至5G無線基礎設施應用領域。新型管腳到管腳(pin-to-pin)兼容產品由三個波束成形器IC和兩個升降頻轉換器組成,可以靈活地實現IC互換,在n257、n258和n260頻(pin)段(duan)實(shi)現(xian)中(zhong)頻(pin)到(dao)射(she)頻(pin)全(quan)覆(fu)蓋(gai)。這(zhe)種(zhong)模(mo)塊(kuai)化(hua)方(fang)法(fa)與(yu)片(pian)上(shang)校(xiao)準(zhun)和(he)數(shu)字(zi)校(xiao)正(zheng)相(xiang)結(jie)合(he),有(you)助(zhu)於(yu)係(xi)統(tong)團(tuan)隊(dui)簡(jian)化(hua)設(she)計(ji)周(zhou)期(qi),並(bing)快(kuai)速(su)適(shi)應(ying)不(bu)同(tong)的(de)有(you)源(yuan)天(tian)線(xian)設(she)計(ji)配(pei)置(zhi)。該(gai)多(duo)元(yuan)化(hua)產(chan)品(pin)組(zu)合(he)可(ke)作(zuo)為(wei)分(fen)立(li)射(she)頻(pin)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)(RFIC)使用,也可作為Murata 28 GHz天線集成模塊的一部分,采用小巧的IC外形尺寸設計,集性能、集成度和可靠性於一身。

pSemi 5G毫米波產品集成組合提供獨立IC以及天線集成模塊
在智能中繼器、室(shi)內(nei)基(ji)站(zhan)和(he)其(qi)他(ta)小(xiao)型(xing)蜂(feng)窩(wo)應(ying)用(yong)程(cheng)序(xu)的(de)支(zhi)持(chi)下(xia),毫(hao)米(mi)波(bo)將(jiang)首(shou)先(xian)在(zai)人(ren)口(kou)密(mi)集(ji)的(de)城(cheng)市(shi)地(di)區(qu)進(jin)行(xing)主(zhu)流(liu)部(bu)署(shu),實(shi)現(xian)短(duan)距(ju)離(li)覆(fu)蓋(gai)。波(bo)束(shu)成(cheng)形(xing)和(he)有(you)源(yuan)天(tian)線(xian)係(xi)統(tong)的(de)普(pu)及(ji),以(yi)及(ji)人(ren)們(men)對(dui)網(wang)絡(luo)容(rong)量(liang)的(de)需(xu)求(qiu)不(bu)斷(duan)增(zeng)加(jia),為(wei)SOI-CMOS技術成為先進5G係統的首選毫米波平台開辟了新的機遇。
pSemi銷售和營銷副總裁Vikas Choudhary表示:“自2015年以來,pSemi始終致力於提供毫米波產品,並不斷深化我們在高頻射頻SOI設計領域的專業知識和專利組合。這些經驗,再加上母公司村田的先進封裝和全球製造實力,使我們能夠支持更高水平的集成,簡化5G毫米波產品的開發和部署。”
8通道波束成形器射頻集成電路的特點和優勢
每個UltraCMOS® PE188100、PE188200和PE189100 射頻集成電路都在單晶片中集成了功率放大器(PA)、低噪聲放大器(LNA)、移相器、波束成形器、開關和混頻器,為多達1024個振子的天線陣列提供最佳的信號強度。
雙通道升降頻轉換器射頻集成電路的特點和優勢
每個 PE128300 和PE129100 都在單晶片中集成了振蕩器、混頻器、放大器和開關,可與多達16個pSemi波束成形射頻集成電路或總共128個波束成形器通道配對,以支持大規模 MIMO、混合波束成形及其他有源天線配置。
5G天線集成模塊的特點和優勢
pSemi 和村田共同打造了一款易於使用的5G毫米波天線集成模塊(1QT型),該模塊支持28 GHz頻段。在4 x 4天線陣列中,每個模塊都集成了高性能天線和帶通濾波器以及pSemi波束成形器IC和升降頻轉換器。多個模塊可以組合在一起,便於設計人員快速擴展和構建不同規模的天線陣列。