領先於智能電源和智能感知技術的安森美(onsemi，美國納斯達克股票代號：ON)，宣布將其碳化矽(SiC)係列命名為“EliteSiC”。在本周美國拉斯維加斯消費電子展覽會(CES)上，安森美將展示EliteSiC 係列的3款新成員：一款1700 V EliteSiC MOSFET和兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管。這些新的器件為能源基礎設施和工業驅動應用提供可靠、高能效的性能
，並突顯安森美在工業碳化矽方案領域的領導者地位。

　　安森美的1700 V EliteSiC MOSFET（NTH4L028N170M1），提供高功率工業應用所需的更高擊穿電壓（BV）的SiC方案。兩款1700 V雪崩EliteSiC肖特基二極管（NDSH25170A
、NDSH10170A）讓設計人員能夠實現在高溫高壓下穩定運行
、同時由SiC賦能高能效的設計。

　　安森美執行副總裁兼電源方案部總經理Simon Keeton說：“新的1700 V EliteSiC器件提供出色的能效和更低的功率損耗，加強了我們EliteSiC係列產品在性能和品質方麵的高標準
，同時也進一步擴大了安森美EliteSiC的深度和廣度。加上我們的端到端SiC製造能力，安森美提供的技術和供貨保證可以滿足工業能源基礎設施和工業驅動提供商的需求。”

　　可再生能源應用正不斷向更高的電壓發展，其中太陽能係統正從1100 V向1500 V直流母線發展。為了支持這變革，客戶需要具有更高擊穿電壓（BV）值的MOSFET。新的1700 V EliteSiC MOSFET的最大Vgs範圍為-15 V/25 V
，適用於柵極電壓提高到-10 V的快速開關應用，提供更高的係統可靠性。

　　在1200 V、40 A的測試條件下
，1700 V EliteSiC MOSFET的柵極電荷（Qg）達到領先市場的200 nC
，而同類競爭器件的Qg近300 nC。低Qg對於在快速開關、高功率可再生能源應用中實現高能效至關重要。

　　在1700 V的額定擊穿電壓（BV）下
，EliteSiC肖特基二極管器件在最大反向電壓（VRRM）和二極管的峰值重複反向電壓之間提供了更好的餘量。新器件還具有出色的反向漏電流性能，其最大反向電流（IR）在25°C時僅為40 µA，在175°C時為100 µA --明顯優於在25°C時額定值通常為100 µA的競爭器件。