4月21日全球知名半導體製造商ROHM（總部位於日本京都市）宣布，開發出新一代EcoSiC™——“第5代SiC MOSFET”，該產品非常適用於xEV（電動汽車）用牽引逆變器*等汽車電動動力總成係統以及AI服務器電源和數據中心等工業設備的電源。

ROHM在開發第5代SiC MOSFET的過程中
，通過改進器件結構並優化製造工藝，與以往的第4代產品相比，成功地將功率電子電路實際使用環境中備受重視的高溫工作時（Tj=175℃）的導通電阻降低約30%（相同耐壓、相同芯片尺寸條件下比較）。在xEV用牽引逆變器等需要在高溫環境下使用的應用中
，該產品有助於縮小單元體積
，提高輸出功率。

第5代SiC MOSFET已於2025年起先行提供裸芯片樣品，並於2026年3月完成開發。

另外，ROHM計劃從2026年7月起開始提供配有第5代SiC MOSFET的分立器件和模塊的樣品。未來，ROHM將進一步擴大產品陣容，同時完善設計工具，並強化針對應用產品設計的支持體係。

＜開發背景＞

近年來，在工業設備領域
，隨著生成式AI和大規模數據處理技術的普及
，用於AI處chu理li等deng的de高gao性xing能neng服fu務wu器qi的de引yin進jin速su度du不bu斷duan加jia快kuai。由you於yu這zhe類lei應ying用yong的de功gong率lv密mi度du不bu斷duan提ti高gao
，引yin發fa了le業ye界jie對dui電dian力li係xi統tong負fu荷he加jia重zhong以yi及ji局ju部bu供gong需xu緊jin張zhang的de擔dan憂you。作zuo為wei解jie決jue這zhe一yi難nan題ti的de對dui策ce，將jiang太tai陽yang能neng等deng可ke再zai生sheng能neng源yuan與yu供gong電dian網wang絡luo等deng相xiang結jie合he的de智zhi能neng電dian網wang備bei受shou關guan注zhu，但dan能neng源yuan轉zhuan換huan和he蓄xu電dian過guo程cheng中zhong的de損sun耗hao降jiang低di仍reng是shi一yi大da挑tiao戰zhan。在zai車che載zai領ling域yu的de下xia一yi代dai電dian動dong汽qi車che中zhong，除chu了le延yan長chang續xu航hang裏li程cheng和he提ti升sheng充chong電dian速su度du之zhi外wai，還hai要yao求qiu進jin一yi步bu降jiang低di逆ni變bian器qi損sun耗hao、提升OBC（車載充電器）性能。因此，在上述數千瓦到數百千瓦級大功率應用中
，能夠實現損耗降低與高效化兼顧的SiC器件正在加速普及。

ROHM於2010年在全球率先開始量產SiC MOSFET
，並很早就推出了符合車規級可靠性標準（AEC-Q101）的產品群，通過將SiC廣泛應用於各種大功率應用中，助力降低能源損耗。此外
，第4代SiC MOSFET於2020年6月開始提供樣品，並在SiC的普及階段就推出了分立器件和模塊等豐富多樣的產品陣容
，目前已在全球車載設備和工業設備領域得到了廣泛應用。此次ROHM開發出的第5代SiC MOSFET實現了業界超低損耗
，將進一步擴大SiC的應用領域。

未來

，ROHM計劃進一步擴充第5代SiC MOSFET的耐壓和封裝陣容，同時，通過推動已進入普及階段的SiC在各個領域的實際應用，為提高各種大功率應用的電能利用效率持續貢獻力量。