隨著EUVpuguangjishudefazhan，bandaotixinpianyezhujianzouxiangxiaoxinghua，xinpianzhijiandedianjijiangebiandegengxiao。yucitongshi

，xinpianjieshoucedefengzhuangjibandebuxianyebiandeyuelaiyueweixiao。

半導體基板具有多層結構，層與層之間的電信號通過在絕緣層鑽出的微孔進行耦合。目前是通過用激光鑽出約40微米的孔並應用金屬鍍層來完成層間布線的，但隨著芯片的小型化發展，將來封裝基板的孔徑會減小到5微米及以下。

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，yimuqianshiyongdejiguangjiagongjishu，youyujiguangqiheguangxuexitongdetexing，hennanjiangguangjujiaozaixiaozhijingshang
，bingqiebukenengzuanchugaozonghengbidekong。yinci，haixuyaoyigeshiheweizuankongdebojueyuanceng。

基於以上背景，近日，在美國丹佛舉行的國際會議ECTC2024（Electronic Components and Technology Conference）上，東京大學、味之素精細技術株式會社
、三菱電機株式會社、Spectronix株式會社等四所公司/機構發布了一項聯合開發的新技術。

該技術是用於封裝基板的 3 微米超精細激光鑽孔技術，這對於下一代半導體製造的“後端工藝”是必不可少的。

如圖1所示

，將一部分銅線放置在玻璃基板上
，並在其頂部製造3微米厚的堆積膜（ABF）。從上方，使用DUV激光打孔機在5微米的間隔間鑽出直徑為3微米的孔。如右圖的電子顯微照片所示，相較此前的技術，我們能夠鑽出一個小約一個量級的孔。

圖1：從上方觀察味之素組裝薄膜（ABF）上微孔的電子顯微鏡照片

東京大學將銅蒸鍍在玻璃基板上，然後將銅激光加工成圖案，來製成精細的銅線。味之素精細技術通過在銅布線層上層壓薄膜 ABF
，在銅上形成3微米的絕緣層。Spectronic負責波長為 266 納米的 DUV高功率激光器，而三菱電機則設計並改進了專門為深紫外線開發的激光加工機的光學係統，以減小光的聚焦尺寸。

東京大學通過活用AI人工智能的條件搜索結果，在不使用蝕刻技術的情況下能夠在ABF上製作一個直徑為3微米的孔（圖1右，圖2右）。看圖2右側，可以看到隻有ABF有穿孔，下麵的銅線和玻璃沒有刮擦。使用這項技術，可以在電路板上高速製作任意鑽孔圖案。

圖2：製作的微孔截麵的電子顯微鏡照片

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