日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號：VSH）宣布，推出一款采用無引線鍵合（BWL）封裝並具有業內先進導通電阻的新款80 V TrenchFET® Gen IV N溝道功率MOSFET---SiEH4800EW，旨在提高工業應用的效率。與相同尺寸的競品器件相比，Vishay Siliconix SiEH4800EW的導通電阻低15 %，而RthJC低18 %。

日前發布的器件在10 V下的導通電子典型值為0.88 m，最大限度降低了傳導造成的功率損耗
，從而提高了效率，同時以低至0.36 ℃/W的最大RthJC改善了熱性能。這款節省空間的器件體積為8 mm x 8 mm，與采用TO-263封裝的MOSFET相比
，PCB麵積減少50 %，而且其厚度僅為1 mm。

SiEH4800EW采用融合的焊盤，將源焊盤的可焊麵積增加到3.35 mm2，比傳統PIN焊接麵積大四倍。這降低了MOSFET和PCB之(zhi)間(jian)的(de)電(dian)流(liu)密(mi)度(du)，從(cong)而(er)降(jiang)低(di)了(le)電(dian)遷(qian)移(yi)的(de)風(feng)險(xian)，使(shi)設(she)計(ji)更(geng)加(jia)可(ke)靠(kao)。此(ci)外(wai)，器(qi)件(jian)易(yi)於(yu)吸(xi)附(fu)焊(han)錫(xi)的(de)側(ce)翼(yi)增(zeng)強(qiang)了(le)可(ke)焊(han)性(xing)，同(tong)時(shi)更(geng)容(rong)易(yi)通(tong)過(guo)目(mu)視(shi)檢(jian)查(zha)焊(han)點(dian)的(de)可(ke)靠(kao)性(xing)。

這款MOSFET的常適合同步整流和Oring應用。典型應用包括電機驅動控製器、電動工具、焊接設備、等離子切割機、電池管理係統、機器人和3D打印機。在這些應用中，該器件可在+175 ℃的高溫下工作
，而其BWL設計可將寄生電感降至最低
，同時使電流能力最大化。

MOSFET符合RoHS標準
，無鹵素
，並且經過100 %的Rg和UIS測試。

對比表：D2PAK
、PowerPAK 8x8L和 PowerPAK 8x8SW對比

SiEH4800EW現可提供樣品並已實現量產，供貨周期為13周。