中國上海，2025年9月10日——全球知名半導體製造商羅姆（總部位於日本京都市）與德國大型汽車零部件供應商舍弗勒集團（總部位於德國赫爾佐根奧拉赫，以下簡稱“舍弗勒”）宣布
，作為戰略合作夥伴關係的重要裏程碑
，舍弗勒開始量產搭載羅姆SiC（碳化矽）MOSFET裸芯片的新型高電壓逆變磚。這是麵向中國大型汽車製造商設計的產品。

作為電驅動總成係統的核心部件，此次采用羅姆SiC MOSFET的逆變磚，對電動汽車的效率和性能有十分顯著的作用。這款高性能逆變磚突破電動汽車牽引逆變器領域通常支持的800V電壓
，可支持更高的電池電壓，並實現了650Arms的峰值電流輸出。憑借羅姆的SiC技術
，該產品不僅實現了高效率和高輸出功率，還實現了產品小型化，將作為推動下一代電動汽車普及的重要產品投入市場。

羅姆與舍弗勒（原Vitesco Technologies）自2020年起建立戰略合作夥伴關係。2023年

，雙方簽署碳化矽功率器件相關的長期供應協議
，增強對提升電動汽車性能至關重要的SiC芯片的供應體係。此次新產品的量產啟動
，表明這種良好合作關係正在穩步取得積極成效。

舍弗勒集團 電驅動事業部CEO 陶斯樂（Thomas Stierle）表示：“在(zai)電(dian)動(dong)出(chu)行(xing)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)領(ling)域(yu)
，我(wo)們(men)通(tong)過(guo)采(cai)用(yong)可(ke)擴(kuo)展(zhan)與(yu)模(mo)塊(kuai)化(hua)的(de)策(ce)略(lve)，成(cheng)功(gong)開(kai)發(fa)出(chu)適(shi)用(yong)於(yu)從(cong)單(dan)獨(du)部(bu)件(jian)到(dao)高(gao)集(ji)成(cheng)度(du)電(dian)驅(qu)橋(qiao)的(de)逆(ni)變(bian)磚(zhuan)。我(wo)們(men)以(yi)通(tong)用(yong)平(ping)台(tai)開(kai)發(fa)為(wei)基(ji)石(shi)

，成(cheng)功(gong)在(zai)短(duan)短(duan)一(yi)年(nian)內(nei)針(zhen)對(dui)中(zhong)國(guo)市(shi)場(chang)日(ri)益(yi)普(pu)及(ji)的(de)X in 1架構開發出優質產品並投入量產。”

羅姆 董事兼常務執行官 伊野 和英表示：“舍弗勒逆變磚能夠采用羅姆第4代SiC MOSFET並實現量產，我們深感榮幸。羅姆的SiC技術可顯著提升電動汽車的效率和性能，通過與舍弗勒的合作，將進一步推動汽車產業的創新與可持續發展。”

舍弗勒集團 電驅動事業部CEO 陶斯樂（Thomas Stierle）（左）與羅姆 董事兼常務執行官 伊野 和英（右）