近日
，第11屆EEVIA年度中國硬科技媒體論壇暨產業鏈研創趨勢展望研討會在深圳隆重開啟。兆易創新存儲器事業部產品市場經理張靜受邀出席
，以“持續開拓，兆易新一代存儲產品助力行業創新”為題，分享了兆易創新在嵌入式存儲器領域的廣泛布局
，以及麵向產業技術變革浪潮的創新思考，共同探討“半導體產業波動周期”下的存儲器市場發展趨勢。

GD Flash的開拓之路：十四載達成212億顆出貨成就

眾所周知
，Flashshiyizhongfeiyishixingdecunchuqi，zaiduandianhediaodiandeqingkuangxia，cunchudeneirongbuhuifashengdiushi，shijuedaduoshudianzixitongbibeideyuanqijian。zuoweiyijiayicunchuqiweiqidiandegongsi，zhaoyichuangxincong2009年推出國內第一顆SPI NOR Flash，經過多年的產品研發和市場拓展
，目前Flash產品的累計出貨量已經超過212億顆
，且市場占有率穩步提升。

“十年前，Flash的應用場景是U盤、DVD、液晶電視等消費產品
；十年後

，汽車、工業、物聯網、5G通信等領域成為了Flash的熱門應用場景。”張靜在演講環節表示：“緊隨技術變革的步伐
，兆易創新Flash持續引領突破
，現已提供27大產品係列
、16種產品容量、4個電壓範圍、7款溫度規格和29種封裝方式的產品家族
，覆蓋了幾乎所有需要存儲代碼的應用場景。”

現場展示的兆易創新存儲器產品

那麼，開發者如何挑選合適的Flash產品呢
？張靜從不同應用對Flash容量
、讀取性能
、封裝等幾個角度進行了解讀。

在容量上
，針對不同應用與係統複雜程度，不同的嵌入式係統存儲代碼所需的Flash容量差別很大
，例如消費電子所需Flash容量在512Kb~4Gb，而物聯網設備所需Flash容量為1Mb~256Mb。目前，兆易創新NOR Flash係列提供從512Kb至2Gb容量範圍，其中512Mb
、1Gb、2Gb的大容量SPI NOR Flash產品更是填補了國產NOR Flash的空白；SLC NAND Flash係列提供1Gb至8Gb容量範圍，賦能消費電子
、PC周邊

、網絡通信、汽車/工業等領域對於大容量存儲數據的需求。

在性能上，兆易創新GD25T/LT係列是業界首款超高性能、超高可靠性的車規級4口SPI NOR Flash產品，數據吞吐量高達200MB/s
，內置ECC算法和CRC校驗功能，可以滿足車載應用的嚴苛要求。GD25X/LX係列則進一步拓展，是8口SPI NOR Flash產品，數據吞吐量可以達到400MB/s
，實現了業界超高水平的產品性能，賦能廣泛的汽車電子應用。

在封裝上，兆易創新更是存儲行業的引領者，例如在64Mb容量上，兆易創新推出了業界超小尺寸的3 x 2 x 0.4 mm FO-USON8封裝產品
，與傳統3 x 2 mm USON8封裝完全兼容，而傳統3 x 2 USON8封裝的最大可支持容量是32Mb。這意味著開發者無需改動PCB，僅僅換一顆兆易創新FO-USON8封裝的Flash即可實現容量翻倍。不僅如此，今年5月兆易創新重磅推出采用3 x 3 x 0.4 mm FO-USON8封裝的GD25LE128EXH芯片，這是目前業界在128Mb容量上能實現的最小塑封封裝產品，與傳統3 x 4 mm USON8封裝完全兼容
，而傳統3 x 4 mm USON8封裝的最大支持容量是64Mb，開發者無需改動PCB，換上GD25LE128EXH芯片便可實現容量翻倍
，能夠很好地滿足可穿戴電子產品對“輕、薄
、小”的追求。

探索先進製程SoC的高能效應用，1.2V超低電壓Flash為綠碳貢獻力量

隨著雙碳理念的發展，高能效、低功耗的應用需求在半導體領域愈發凸顯。與此同時，移動設備、雲計算、汽車電子
、可穿戴等應用的SoC主芯片也在走向7nm及以下的先進工藝製程；一般而言，製程節點越先進

，SoC主芯片性能越高、功耗越低。此時，SoC的核心供電電壓也降到了1.2V

，若使用常規1.8V的NOR Flash，外圍電路設計將變得複雜，產品開發難度也會提升。

如下圖所示

，左側的方案是核心電壓1.2V的SoC與1.8V的NOR Flash進行通信
，SoC設計需要增加升壓電路，將內部1.2V電壓提升至1.8V，才能匹配外部NOR Flash的1.8V電壓水平


，這顯然增加了電路設計的複雜度和提升了整體的功耗。右側的方案則是NOR Flash核心供電和IO接口供電電壓均為1.2V
，與SoC核心電壓1.2V保持一致，這樣可以簡化電源設計、SoC省去升壓電路
，並且降低係統功耗。

應對這一趨勢，兆易創新推出了1.2V SPI NOR Flash——GD25UF產品係列，在1.2V工作電壓下的數據傳輸速度
、讀寫功耗等關鍵指標上均達到國際領先水平，可以輕鬆適配核心電壓1.2V的先進製程SoC。同時，相比1.8V NOR Flash
，1.2V GD25UF係列在Normal模式下，相同電流情況下的功耗降低33%；在Low Power模式下，相同頻率下的功耗更是降低70%。這些出色的特性使得GD25UF係列成為下一代可穿戴和可移動設備的優先之選。

另外針對於高性能低功耗的雙重需求，兆易創新提出了核心供電1.8V

、IO接口電壓1.2V的NOR Flash解決方案——GD25NF產品係列。這款產品為先進製程SoC的電路設計提供了新的解決方案：Flash的IO接口電壓為1.2V，核心電壓1.2V的SoC與其通信無需增加升壓電路
，簡化了SoC電路設計；Flash的核心供電為1.8V，可以保持超高讀取和擦寫性能，而整體來看，讀取功耗相比常規1.8V方案最多可以降低40%。因此該方案也受到了集成商
、OEM的廣泛關注，目前GD25NF產品係列正處於送樣階段。

作為嵌入式存儲的領導者，兆易創新不僅在容量、性能、封裝
、電壓等關鍵要素發力，也持續聚焦存儲器至關重要的可靠性、安全性等諸多方麵，使得新一代存儲芯片能夠滿足千行百業的應用需求，助力行業加速創新。

在研討會同期
，E維智庫首屆“年度硬科技產業縱橫獎”評選活動及頒獎典禮圓滿舉行
，兆易創新GigaDevice榮獲“中國技術開拓獎”以及“‘E’馬當先新品獎”兩座獎杯！