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Vishay推出MAACPAK PressFit封裝1200 V SiC MOSFET功率模塊

http://www.kadhoai.com.cn 2026-04-06 23:37:48 來源:Vishay

日前,威世科技Vishay Intertechnology宣布,推出兩種新型1200 V MOSFET功率模塊---VS-MPY038P120和VS-MPX075P120,提高汽車、能源、工業和通信係統中高頻應用的效率和可靠性。Vishay Semiconductors VS-MPY038P120和VS-MPX075P120分別有四顆和六顆MOSFET的模塊,采用薄型MAACPAK PressFit封裝,是先進的碳化矽(SiC)技術和堅固的傳遞模塑結構的理想組合。

日前發布的功率模塊集成Vishay新一代SiC MOSFET與用於溫度感測的負溫度係數(NTC)熱敏電阻,以及具有低反向恢複時間的快速本征SiC二極管,從而降低開關損耗,提高效率,適用於光伏逆變器、電動(EV)和混合電動(HEV)汽車充電器、電機驅動器、焊機、DC/DC轉換器、UPS、暖通空調(HVAC)係統、大型電池儲能係統、通信電源等。

為提高可靠性,VS-MPY038P120和VS-MPX075P120采(cai)用(yong)堅(jian)固(gu)的(de)傳(chuan)遞(di)模(mo)塑(su)工(gong)藝(yi)技(ji)術(shu),產(chan)品(pin)生(sheng)命(ming)周(zhou)期(qi)遠(yuan)超(chao)市(shi)場(chang)上(shang)現(xian)有(you)的(de)傳(chuan)統(tong)解(jie)決(jue)方(fang)案(an),同(tong)時(shi)增(zeng)強(qiang)熱(re)阻(zu)性(xing)能(neng)。此(ci)外(wai),器(qi)件(jian)高(gao)度(du)低(di),有(you)助(zhu)於(yu)降(jiang)低(di)寄(ji)生(sheng)電(dian)感(gan)和(he)電(dian)磁(ci)幹(gan)擾(rao)(EMI),節省空間,實現更高效、更幹淨的開關特性。模塊PressFit引腳矩陣排列符合行業標準布局,便於輕鬆替換現有設計中的競品解決方案,提高性能。

VS-MPY038P120采用全橋逆變器拓撲結構,導通電阻低至38 m,+80 C下連續漏極電流為35 A, 而VS-MPX075P120則采用三相逆變器拓撲結構,導通電阻為75 m,連續漏極電流為18 A。兩種器件都具有低容值高速開關功能,最高工作結溫達+175 C。功率模塊符合RoHS標準,無鹵素。

VS-MPX075P120和VS-MPY038P120現可提供樣品並已實現量產,供貨周期為13周。

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