2025年12月9日，致力於亞太地區市場的國際領先半導體元器件分銷商---大聯大控股宣布，其旗下世平推出基於安森美（onsemi）NCP5156x芯片的雙通道隔離驅動IC評估板方案。

圖示1-大聯大世平基於onsemi產品的IC評估板方案的展示板圖

dangqian，xinnengyuanjigongyequdongshichangzhengmianlingaogonglvmiduyugaokekaoxingyaoqiudeshuangzhongtiaozhan。suizhetanhuaguidengkuanjindaibandaotijishudepuji

，gaopinyingyongdailaidekaiguansunhao、電磁幹擾及安全隔離問題日益凸顯。大聯大世平基於onsemi NCP5156x芯片推出雙通道隔離驅動IC評估板方案，憑借其4.5A/9A的強大驅動能力和5kVRMS的高等級電氣隔離性能
，有效提升了係統的開關效率與運行穩定性。

圖示2-大聯大世平基於onsemi產品的IC評估板方案的場景應用圖

NCP5156x是onsemi旗下一款高性能雙通道隔離柵極驅動器，專為驅動功率MOSFET和SiC MOSFET的快速開關應用而優化。該器件具備4.5A拉電流和9A灌電流的峰值驅動能力
，能夠有效滿足高頻開關應用對驅動強度的嚴苛需求。

NCP5156xjuyouzhuoyuedeshixutexing
，qichuanboyanchiduanqietongdaojianpipeidugao，youzhuyutishengxitongxiaolvbingjianshaokaiguansunhao。zaianquangelifangmian，qijiantigongleshuruyushuchuzhijiangaoda5kVRMS的電氣隔離強度
，並支持高達1500VDC的工作電壓，為高壓應用場景提供可靠保障。

該驅動器支持靈活的配置方式，可適配多種拓撲結構，包括兩個低側驅動、兩個高側驅動或帶可編程死區時間的半橋驅動。通過ENA/DIS引腳可實現雙通道的啟用或停用控製，簡化了係統管理。此外，NCP5156x還集成了完善的保護功能
，包括獨立的柵極驅動器欠壓鎖定（UVLO）和可調節的死區時間控製，進一步增強係統的可靠性和安全性。

針對5kVRMS隔離需求

，評估板采用NCP51561高性能隔離雙通道柵極驅動器，為功率器件提供穩定可靠的驅動支持。設計指南詳盡囊括操作流程、接口定義


、電路原理圖、PCB布局規範及完整物料清單（BOM）
，助力工程師快速完成係統設計與驗證。評估板全麵支持NCP51561xyDWR2G、NCV51561xyDWR2G、NCP51560xyDWR2G
、NCP51563xyDWR2G和NCV51563xyDWR2G等多個係列芯片的性能評估。

圖示3-大聯大世平基於onsemi產品的IC評估板方案的的方塊圖

為針對光伏逆變器
、電動汽車驅動、gongyedianjijiyunfuwuqidianyuandenggaoyayingyongchangjing，pinggubantigonglewanzhengdejishujiejuefangan。tajichenglegaoxingnenggeliqudongyuwanshandebaohujizhi，keyouxiaoyingduigaopinkaiguansunhao、電磁幹擾及安全隔離等設計挑戰。通過提供經過驗證的參考設計、優化布局方案及完整物料清單，顯著降低研發門檻，助力客戶加速產品上市進程
，為高可靠性功率係統提供技術支撐。

核心技術優勢：

    設計靈活性好：可用於雙低側、雙高側或半橋閘極驅動：

    兩個輸出驅動器均具有獨立的UVLO保護；

    輸出電源電壓範圍為6.5V至30V，其中驅動電壓5V
、8V用於一般MOSFET、13V和17V用於SiC MOS；

    4.5A峰值拉電流（Sink）
、9A峰值灌電流（Source）輸出；

    共模瞬態抗擾度CMTI >200V/ns；

    傳播延遲典型值為36ns。

    每個通道有5ns最大延遲匹配，5ns最大脈寬失真：

    使用者可程式輸入邏輯通過ANB的單輸入或雙輸入模式（僅限NCP51561/563）啟用或停用模式
；

    3V至5.0V VDD電源範圍，最高30V VCCA/VCCB電源範圍；

    4.5A和9A拉電流/灌電流驅動能力；

    TTL兼容輸入；

    允許輸入電壓高達18V，適用於INA
、INB、和ANB腳位；

    用於死區時間的板載微調電位器程式設計；

    用於INA
、INB和ENA/DIS的3位接頭引腳；

    2位接頭，用於ANB引腳；

    支持MOSFET和SiC半橋測試。

    連接到外部功率級MOSFET，輸入電壓：600V-800VDC（最大允許900VDC）。

方案規格：

    電源電壓：輸入側VDD 3.0V（最小）-5.0V（最大）；

    電源電壓：驅動器側如下可選：

    b1：5V UVLO版本VCCA
、VCCB：6.5V（最小）-30V（最大）；

    b2：8V UVLO版本VCCA
、VCCB：9.5V（最小）-30V（最大）；

    b3：13V UVLO版本VCCA
、VCCB：14.5V（最小）-30V（最大）；

    b4：17V UVLO版本VCCA、VCCB：18.5V（最小）-30V（最大）；

    INA、INB和ANB接腳上的邏輯輸入電壓VIN：0V（最小）-18V（最大）
；

    ENA/DIS VEN腳位上的邏輯輸入電壓：0V（最小）-5.0V（最大）；

    工作溫度Tj：−40℃（最小）-+125℃（最大）。