安森美宣布推出采用行業標準T2PAK頂部冷卻封裝的EliteSiC MOSFET，為汽車和工業應用的電源封裝技術帶來突破。這款新品為電動汽車、太陽能基礎設施及儲能係統等市場的高功率
、高電壓應用提供增強的散熱性能、可靠性和設計靈活性。

安森美采用T2PAK封裝的650V和950V 最新EliteSiC MOSFET係列
，將公司業界領先的碳化矽技術與極具創新性的頂部冷卻封裝相結合。首批器件已向主要客戶發貨
，安森美計劃於2025年第四季度及之後推出更多產品。通過在EliteSiC係列全麵采用T2PAK封裝，安森美為汽車與工業客戶提供了強有力的全新選擇，滿足其在嚴苛高壓應用中對效率、緊湊性和耐用性的需求。

隨著太陽能逆變器、電(dian)動(dong)汽(qi)車(che)充(chong)電(dian)器(qi)和(he)工(gong)業(ye)電(dian)源(yuan)等(deng)應(ying)用(yong)對(dui)功(gong)率(lv)需(xu)求(qiu)的(de)不(bu)斷(duan)攀(pan)升(sheng)，高(gao)效(xiao)的(de)熱(re)管(guan)理(li)已(yi)成(cheng)為(wei)關(guan)鍵(jian)的(de)工(gong)程(cheng)挑(tiao)戰(zhan)。傳(chuan)統(tong)封(feng)裝(zhuang)方(fang)式(shi)常(chang)迫(po)使(shi)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)在(zai)散(san)熱(re)效(xiao)率(lv)與(yu)開(kai)關(guan)性(xing)能(neng)之(zhi)間(jian)做(zuo)出(chu)取(qu)舍(she)。EliteSiC T2PAK解決方案通過將熱量從印刷電路板（PCB）高效地直接傳導至係統冷卻架構
，實現了性能與散熱的雙贏

，從而帶來以下優勢：

• 卓越的熱效率
，降低工作溫度

• 降低元器件應力，延長係統使用壽命

• 更高的功率密度，實現緊湊的係統設計

• 簡化係統設計，加快產品上市速度

“熱(re)管(guan)理(li)是(shi)當(dang)今(jin)汽(qi)車(che)和(he)工(gong)業(ye)市(shi)場(chang)中(zhong)電(dian)力(li)係(xi)統(tong)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)麵(mian)臨(lin)的(de)最(zui)關(guan)鍵(jian)挑(tiao)戰(zhan)之(zhi)一(yi)。這(zhe)些(xie)領(ling)域(yu)的(de)功(gong)率(lv)係(xi)統(tong)設(she)計(ji)人(ren)員(yuan)正(zheng)尋(xun)求(qiu)兼(jian)具(ju)效(xiao)率(lv)與(yu)可(ke)靠(kao)性(xing)的(de)解(jie)決(jue)方(fang)案(an)。憑(ping)借(jie)我(wo)們(men)的(de)EliteSiC技術和創新的T2PAK 頂部冷卻封裝，客戶能夠實現卓越的散熱性能和設計靈活性
，助力其打造出在當今競爭格局中脫穎而出的新一代產品。”安森美碳化矽事業部副總裁兼負責人Auggie Djekic表示。

工作原理：T2PAK 頂部冷卻封裝通過將MOSFET與散熱片直接熱耦合
，在散熱和開關性能之間實現了極佳平衡。該設計最大限度降低了結點至散熱片的熱阻
，並支持多種導通電阻Rds(on) 選項（12mΩ - 60mΩ），從而提升設計靈活性。關鍵技術亮點包括：

• 通過將熱量直接傳導至係統散熱片，規避了PCB的散熱限製，實現卓越的散熱性能

• 保持低雜散電感，實現更快的開關速度並降低能耗

• 兼具TO-247和D2PAK封裝優勢
，且無明顯缺陷

憑借EliteSiC在T2PAK頂部冷卻封裝中卓越的性能指標
，設計人員能夠打造出更緊湊、散熱性能更好、且更高效率的係統。