據日經網消息，三菱電機將於4月開始在熊本縣菊池市建設新SiC廠房。

三菱電機將投資約1,000億日元（折合人民幣約48.56億元）來生產具有高節能性能的碳化矽（SiC）功率半導體，該廠房計劃於2026年4月投入運營。三菱電機表示
，與2022年相比，公司2026年的晶片產能將擴大約5倍。

據介紹，新大樓共六層，總建築麵積約42,000平方米。它具備生產直徑為200毫米（8 英寸）的 SiC 晶jing圓yuan的de功gong率lv半ban導dao體ti的de前qian端duan工gong藝yi。所suo有you的de工gong序xu將jiang接jie入ru自zi動dong輸shu送song係xi統tong，打da造zao高gao效xiao率lv生sheng產chan線xian。三san菱ling電dian機ji計ji劃hua根gen據ju不bu斷duan增zeng長chang的de需xu求qiu逐zhu步bu提ti高gao產chan能neng。

在當天舉行的奠基儀式上
，三菱電機高級執行官、半導體和器件部門總經理Masayoshi Takemi強調：“功率半導體將在實現脫碳社會方麵發揮重要作用。作為一家專門生產SiC晶片的新工廠，我們也在考慮節能節水事宜”。

在電動汽車（EV）普及的背景下，三菱電機決定建設新工廠，是為了滿足市場對功率半導體日益增長的需求。

值得一提的是
，該工廠已經“綁定”了Coherent（前 II-VI ）的碳化矽襯底產能——2023年5月
，三菱電機與Coherent簽署了一份諒解備忘錄
，Coherent將為三菱電機新工廠供應8英寸n型4H SiC襯底，雙方共同致力於擴大8英寸SiC器件的生產規模。