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瑞薩推出性能卓越的新型MOSFET

瑞薩全新晶圓技術可以幫助MOSFET實現導通電阻降低30%、 柵漏電荷減少40%、封裝尺寸縮小50%的目標

http://www.kadhoai.com.cn 2026-04-07 01:17:34 來源:瑞薩電子

全球半導體解決方案供應商瑞薩電子(TSE:6723)今日宣布推出基於全新MOSFET晶圓製造工藝——REXFET-1而推出的100V大功率N溝道MOSFET——RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF,為電機控製、電池管理係統、電源管理及充電管理等應用提供理想的大電流開關性能。基於這一創新產品的終端設備將廣泛應用於電動汽車、電動自行車、充電站、電動工具、數據中心及不間斷電源(UPS)等多個領域。

瑞薩開發的全新MOSFET晶圓製造工藝(REXFET-1)使新產品的導通電阻(MOSFET導通時漏極與源極之間的電阻)大幅降低30%;更低的導通電阻有助於顯著降低客戶係統設計中的功率損耗。

REXFET-1工藝還使新型MOSFET的Qg特性(向柵極施加電壓所需的電荷量)降低10%,Qgd(在“米勒平台”階段需要注入柵極的電荷量)減少40%。

除了優秀的電氣特性外,瑞薩的新款RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET還采用行業標準TOLL和TOLG封裝,與其它製造商的器件引腳兼容,且封裝尺寸比傳統TO-263封裝小50%。TOLL封裝還具備wettable flanks,便於光學檢測。

Avi Kashyap, Vice President of Discrete Power Solution BU at Renesas表示:“多年來,瑞薩在MOSFET領(ling)域(yu)積(ji)累(lei)了(le)豐(feng)富(fu)的(de)經(jing)驗(yan)和(he)技(ji)術(shu)優(you)勢(shi),憑(ping)借(jie)我(wo)們(men)強(qiang)大(da)的(de)製(zhi)造(zao)能(neng)力(li)和(he)多(duo)個(ge)高(gao)產(chan)能(neng)工(gong)廠(chang)的(de)供(gong)貨(huo)保(bao)障(zhang),瑞(rui)薩(sa)致(zhi)力(li)於(yu)為(wei)客(ke)戶(hu)提(ti)供(gong)卓(zhuo)越(yue)的(de)產(chan)品(pin)和(he)服(fu)務(wu)。”

成功產品組合

瑞薩將全新MOSFET與其產品組合中的眾多器件相結合,推出多種“成功產品組合”方案,包括48V電動平台和三合一電動汽車單元(逆變器、車載充電器、DC/DC轉換器)deng。zhexiefanganjiyuxianghujianrongqiekewufengxiezuodechanpin,jubeijingyanzhengdexitongjiagoubingdailaijingyouhuadedifengxiansheji,yijiakuaichanpinshangshisudu。ruisaxianyijiyuqichanpinzhenrongzhongdegeleichanpin,tuichuchaoguo400款“成功產品組合”,使客戶能夠加速設計過程,更快地將產品推向市場。更多信息,請訪問:https://www.renesas.com/win。

供貨信息

RBA300N10EANS和RBA300N10EHPF MOSFET現已量產。瑞薩還提供帶有應用說明的參考設計,以幫助客戶縮短設計周期。了解更多信息,請訪問:www.renesas.com/MOSFET。

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