三菱電機株式會社近日（2025年1月14日）宣布，將於2月15日起開始提供新型工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊樣品，適用於太陽能和其他可再生能源發電係統。該模塊采用第8代絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）芯片
，有助於降低太陽能發電係統、儲能電池等電源係統中逆變器的功率損耗，提高逆變器的輸出功率。

工業用LV100封裝1.2kV IGBT模塊（CM1800DW-24ME）

該模塊將在第39屆電子研發、製造和封裝技術博覽會（NEPCON JAPAN 2025；1月22-24日
，東京國際展覽中心）以及北美、歐洲、中國等地的展覽上展出。

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三菱電機自1990年推出搭載IGBT的功率半導體模塊以來，在消費、汽車、工業和鐵路領域得到了廣泛應用

，以優異的性能和高可靠性受到高度評價。現已開發出的第8代IGBT，具有獨特的分離式柵極溝槽（SDA1）和可以控製載流子的等離子體層（CPL2）結構。

與現有產品3相比，采用第8代IGBT芯片的新型LV100封裝1.2kV模塊可將太陽能發電係統、儲能電池等逆變器的功耗降低約15%4。此外，通過優化IGBT和二極管芯片布局，實現了1800A的額定電流，是上述現有產品的1.5倍，有助於提高逆變器的輸出功率。此外，該模塊的傳統封裝易於並聯連接，可以兼容多種功率等級的逆變器設計。

隨著對功率半導體需求的增加
，三菱電機期待在各個領域降低電力電子設備的能耗，並快速穩定地提供此類產品，以支持綠色轉型（GX）。

產品特點

搭載第8代IGBT
，使逆變器功率損耗降低15%

與第7代IGBT相比
，獨特的SDA結構有助於抑製dv/dt5

，並實現更高的開關速度，有望降低導通開關損耗。

獨特的CPL結構抑製了關斷浪湧電壓，與第7代IGBT相比芯片更薄。

通過將額定電流提高到1800A，有助於提高逆變器的輸出功率

優化的芯片布局實現了1800A的額定電流
，是現有產品3的1.5倍。

利用現有的LV100封裝簡化並聯設計

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