思銳智能攜業界尖端的離子注入（IMP）和原子層沉積（ALD）技術亮相SEMICON China 2024，持續建設全球一流的高端半導體製造裝備，廣泛賦能集成電路、第三代半導體等諸多高精尖領域。

展會現場精彩瞬間

思銳智能離子注入機（IMP）模型

根據SEMI的數據
，受芯片需求疲軟等影響，2023年全球半導體設備銷售額為1056億美元，同比下降1.9%，而中國大陸地區半導體設備銷售額同比增長28.3%。中國對成熟節點技術表現出了強勁的需求和消費能力。

縱觀全局，離子注入已成為半導體器件製備中最主要的摻雜方法，是最基礎的製備工藝之一。2000-2023年中國大陸IC晶圓製造產能從占據全球2%增長到20%，未來中國產能持續迎接快速增長期，年均增長預計超10%。新一代集成電路製造技術創新持續推進
，國產化離子注入機的市場應用前景正在快速展開，這也是思銳智能重點投資布局的賽道。

集成電路製造正盛，IMP國產化大有可為

在同期的IC製造產業鏈國際論壇上，思銳智能副總經理陳祥龍表示：“離(li)子(zi)注(zhu)入(ru)設(she)備(bei)正(zheng)在(zai)賦(fu)能(neng)新(xin)一(yi)代(dai)邏(luo)輯(ji)，存(cun)儲(chu)

，圖(tu)像(xiang)傳(chuan)感(gan)器(qi)，功(gong)率(lv)半(ban)導(dao)體(ti)等(deng)熱(re)門(men)應(ying)用(yong)領(ling)域(yu)均(jun)可(ke)利(li)用(yong)離(li)子(zi)注(zhu)入(ru)機(ji)以(yi)提(ti)升(sheng)器(qi)件(jian)性(xing)能(neng)或(huo)產(chan)能(neng)。新(xin)興(xing)應(ying)用(yong)推(tui)動(dong)了(le)離(li)子(zi)注(zhu)入(ru)技(ji)術(shu)創(chuang)新(xin)，以(yi)消(xiao)費(fei)市(shi)場(chang)為(wei)例(li)，智(zhi)能(neng)手(shou)機(ji)對(dui)於(yu)相(xiang)機(ji)像(xiang)素(su)的(de)要(yao)求(qiu)越(yue)來(lai)越(yue)高(gao)，圖(tu)像(xiang)傳(chuan)感(gan)器(qi)（CIS）需要製備更高深寬比的深層光電二極管。此時，離子注入的能量將達到8MeV
、最高甚至超過10MeV，高能離子注入機成為不可替代的選擇。同時，先進製程的發展也進一步推動了低能大束流機的應用。思銳智能布局了“高能離子注入機 + 大束流離子注入機”的係列產品組合，以應對更多應用挑戰。”

自2021年以來，思銳智能組建核心技術團隊
，開啟離子注入設備研發攻關，2023年首台高能離子注入機取得技術突破並獲得國內頭部客戶訂單
，同步持續完善業務布局。思銳智能高能離子注入機具備射頻傳輸效率高、能量分辨率高的優勢，其關鍵特性包括射頻段傳輸效率達到30%-50%的水平；能量分辨率高達±1%，小於業內的±2.5%水平等
，在關鍵設備國產化方麵實現了技術領先。

進入2024年，AI及其驅動的新智能應用、AI PC和AI手機、新能源汽車及工業應用等產業麵臨新的機遇和挑戰。集成電路是AI技(ji)術(shu)發(fa)展(zhan)的(de)核(he)心(xin)，而(er)裝(zhuang)備(bei)則(ze)是(shi)集(ji)成(cheng)電(dian)路(lu)芯(xin)片(pian)技(ji)術(shu)創(chuang)新(xin)的(de)基(ji)石(shi)。思(si)銳(rui)智(zhi)能(neng)願(yuan)與(yu)合(he)作(zuo)夥(huo)伴(ban)攜(xie)手(shou)，賦(fu)能(neng)半(ban)導(dao)體(ti)產(chan)業(ye)鏈(lian)高(gao)質(zhi)量(liang)發(fa)展(zhan)，推(tui)動(dong)行(xing)業(ye)技(ji)術(shu)的(de)創(chuang)新(xin)與(yu)進(jin)步(bu)。